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公开(公告)号：CN100407430C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200410031961.5
申请日：2004-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 山田徹
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14812 , H01L27/14831
Abstract: 提供了一种能同时降低读取电压和提高转移效率的固态成像装置。p型阱(507)形成于n型半导体基片(506)上，CCD通道区(102)形成于p型阱(507)的表面区域。栅极绝缘膜(510)形成于CCD通道区(102)的表面，第一电荷转移电极(503)形成于栅极绝缘膜(510)上。层间绝缘膜(511)形成于第一电荷转移电极的周围，第二电荷转移电极(504)形成于栅极绝缘膜(510)上的第一电荷转移电极之间。第二电荷转移电极(504)的电极长度(L1)比第一电荷转移电极(503)的电极长度(L2)长，通过注入p型杂质，n-型电平差区域(113)形成于第二电荷转移电极(504)下的CCD通道区域的上游一侧的区域。
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公开(公告)号：CN100344192C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN02144278.9
申请日：2002-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03H9/0542 , H03H7/46 , H03H2001/0085 , H05K1/0237 , H05K1/0298 , H05K1/181
Abstract: 本发明涉及一种装配至少一个SAW滤波器的多层体，它包括：其上形成表面层电极图形的表面介质层，和其上形成一对电极图形和第一接地电极图形的第一介质层；其中不平衡输入-平衡输出的SAW滤波器的一对平衡输出端通过表面层电极图形分别连接至这对电极图形，以及第一接地电极图形的一部分放置于这对电极图形之间。本发明还涉及包含所述多层体的高频开关和无线电通信装置。
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公开(公告)号：CN1321497C
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN02150643.4
申请日：2002-11-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H04B1/0057 , H03H7/463 , H03H7/465
Abstract: 提供了一种双工器和用它构成的高频开关，该双工器能在很宽的频带，无衰减地通过高频带信号。该双工器包含一个低通滤波器(82)，后者具有：一个由第一电容(C1)和第一电感(L1)构成的并联谐振电路，和一个由第二电容(C2)和第二电感(L2)构成的串联谐振电路。采用这一结构，低通滤波器(82)给出两个衰减极点。于是，(该双工器的)高通滤波器(83)的通带可被加宽。
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公开(公告)号：CN1465133A
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：CN02802272.6
申请日：2002-06-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03H9/145
CPC classification number: H03H9/6436 , H03H9/0028 , H03H9/0042 , H03H9/14582 , H03H9/25 , H03H9/643 , H03H9/6433
Abstract: 一种弹性表面波滤波器，是在压电性基板上具有由第1 IDT电极及第2、第3 IDT电极与第1、第2反射器电极而构成，并于将弹性表面波的波长设成入时，各IDT电极的电极指间距为λ/2的主激振区域，将各主激振区域间的相位因应所需的通频带频率特性而偏移一定量的构成的纵向耦合型弹性表面波滤波器，于第1、第2、第3 IDT电极设置电极指间距不同于λ/2的多个的副激振区域，由此，可将构成弹性表面波滤波器的全部的电极指间距收限在0.8λ/2至1.2λ/2的范围，而能防止IDT电极间的不连续性所造成的损耗的劣化。
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公开(公告)号：CN1457527A
公开(公告)日：2003-11-19
申请号：CN02800508.2
申请日：2002-02-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01P1/20345 , H01P1/2135 , H01P11/007
Abstract: 一种介电滤波器分别包括谐振器电极，级间耦合电容器电极和输入/输出耦合电容器电极。谐振器电极彼此电磁耦合形成三片结构，它由嵌入在谐振器介电衬底中的金属箔制作。另一种介电滤波器包括上部屏蔽电极介电衬底，级间耦合电容器介电衬底，谐振器介电衬底和输入/输出耦合电容器介电衬底，它们由包括高介电常数的材料和低介电常数的材料的复合介电材料制作。上述排列提供了具有改善的谐振器Q因数，低损失和高衰减的介电滤波器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1319208C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN02800508.2
申请日：2002-02-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01P1/20345 , H01P1/2135 , H01P11/007
Abstract: 一种介电滤波器分别包括谐振器电极，级间耦合电容器电极和输入/输出耦合电容器电极。谐振器电极彼此电磁耦合形成三片结构，它由嵌入在谐振器介电衬底中的金属箔制作。另一种介电滤波器包括上部屏蔽电极介电衬底，级间耦合电容器介电衬底，谐振器介电衬底和输入/输出耦合电容器介电衬底，它们由包括高介电常数的材料和低介电常数的材料的复合介电材料制作。上述排列提供了具有改善的谐振器Q因数，低损失和高衰减的介电滤波器。
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公开(公告)号：CN1254009C
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN02122043.3
申请日：2002-05-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03H9/0042 , H03H9/0038 , H03H9/0061 , H03H9/02952 , H03H9/14588
Abstract: 对具有非平衡一平衡型端口的纵向模式表面声波滤波器来说，存在着一些平衡性能下降的问题。纵向模式表面声波滤波器包括在压电基片101上制成的第一IDT电极102，第二和第三IDT电极103和104，以及第一和第二反射器电极105和106。第一IDT电极102的上部电极102a与一个平衡型端口107相连接，以及第一IDT电极102的下部电极102b与另一个平衡型端口108相连接。同样，第二IDT电极103的上部电极103a与非平衡型端口109相连接，第二IDT电极103的下部电极103b接地。第三IDT电极104的下部电极104b与非平衡型端口109相连接，第三IDT电极104的上部电极104a接地。
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公开(公告)号：CN1215643C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN02802272.6
申请日：2002-06-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03H9/145
CPC classification number: H03H9/6436 , H03H9/0028 , H03H9/0042 , H03H9/14582 , H03H9/25 , H03H9/643 , H03H9/6433
Abstract: 一种弹性表面波滤波器，是在压电性基板上具有由第1 IDT电极及第2、第3 IDT电极与第1、第2反射器电极而构成，并于将弹性表面波的波长设成入时，各IDT电极的电极指间距为λ/2的主激振区域，将各主激振区域间的相位因应所需的通频带频率特性而偏移一定量的构成的纵向耦合型弹性表面波滤波器，于第1、第2、第3 IDT电极设置电极指间距不同于λ/2的多个的副激振区域，由此，可将构成弹性表面波滤波器的全部的电极指间距收限在0.8λ/2至1.2λ/2的范围，而能防止IDT电极间的不连续性所造成的损耗的劣化。
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公开(公告)号：CN1534792A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN200410031961.5
申请日：2004-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 山田徹
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14812 , H01L27/14831
Abstract: 提供了一种能同时降低读取电压和提高转移效率的固态成像装置。p型阱507形成于n型半导体基片506上，CCD通道区102形成于p型阱507的表面区域。栅极绝缘膜510形成于CCD通道区102的表面，第一电荷转移电极503形成于栅极绝缘膜510上。层间绝缘膜511形成于第一电荷转移电极的周围，第二电荷转移电极504形成于栅极绝缘膜510上的第一电荷转移电极之间。第二电荷转移电极504的电极长度L1比第一电荷转移电极503的电极长度L2长，通过注入p型杂质，n－型电平差区域113形成于第二电荷转移电极504下的CCD通道区域的上游一侧的区域。
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公开(公告)号：CN1528056A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN02807241.3
申请日：2002-03-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H04B1/406 , H04B1/005 , H04B1/0057 , H04B1/006 , H04B1/48
Abstract: 例如，在用于移动电话等的常规高频开关中，由发射时被关闭的二极管引起高频失真。高频开关包括开关电路2，用于转换通过发射端Tx2和接收端Rx2和Rx3进行的发射和接收，所述开关电路具有发射时被关闭的二极管D1，以及低通滤波器11，用于抑制由二极管D1在发射时引起的高频失真。
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