公开(公告)号：CN102203966B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN200980142895.X

申请日：2009-10-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山江和幸 ,  福岛博司 ,  安田正治 ,  岩桥友也 ,  龟井英德 ,  前田修作

IPC: H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/0207 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0216 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02492 ,  H01S5/32341

Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法具有：半导体层形成工序、接合工序、槽形成工序、光照射工序、剥离工序和切断工序。在半导体层形成工序中，在具有透光性的第1晶片的上表面形成多层氮化物半导体层。在接合工序中，在多层氮化物半导体层的上表面接合第2晶片。在槽形成工序中，形成从第1晶片的下表面至少到达多层氮化物半导体层的深度的槽。在光照射工序中，隔着第1晶片对多层氮化物半导体层的下表面照射第1光。由此，多层氮化物半导体层与第1晶片之间的接合力降低。在剥离工序中，从多层氮化物半导体层分离第1晶片。在切断工序中，沿着槽切断第2晶片，由此分割成多个半导体发光元件。

公开(公告)号：CN102326270B

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201080009000.8

申请日：2010-02-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村井章彦 ,  安田正治 ,  岩桥友也 ,  山江和幸

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L33/10 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L33/647 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种发光器件，其包括：安装基板和LED芯片，所述LED芯片包括：n-型氮化物半导体层、氮化物发光层、p-型氮化物半导体层、阳电极和阴电极。所述氮化物发光层设置在n-型氮化物半导体层上。所述p-型氮化物半导体层设置在氮化物发光层上。从p-型氮化物半导体层观察时，阳电极位于氮化物发光层的相反侧。阴电极设置在n-型氮化物半导体层上。安装基板的导体图案通过凸点与阴电极和阳电极接合。LED芯片具有电介质层。所述电介质层形成为至少一个岛并且位于p-型氮化物半导体层和阳电极之间。p-型氮化物半导体层具有与凸点交叠的第一区域。电介质层不形成于第一区域内。

公开(公告)号：CN102203966A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200980142895.X

申请日：2009-10-27

Applicant: 松下电工株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 山江和幸 ,  福岛博司 ,  安田正治 ,  岩桥友也 ,  龟井英德 ,  前田修作

IPC: H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/0207 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0216 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02492 ,  H01S5/32341

Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法具有：半导体层形成工序、接合工序、槽形成工序、光照射工序、剥离工序和切断工序。在半导体层形成工序中，在具有透光性的第1晶片的上表面形成多层氮化物半导体层。在接合工序中，在多层氮化物半导体层的上表面接合第2晶片。在槽形成工序中，形成从第1晶片的下表面至少到达多层氮化物半导体层的深度的槽。在光照射工序中，隔着第1晶片对多层氮化物半导体层的下表面照射第1光。由此，多层氮化物半导体层与第1晶片之间的接合力降低。在剥离工序中，从多层氮化物半导体层分离第1晶片。在切断工序中，沿着槽切断第2晶片，由此分割成多个半导体发光元件。