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公开(公告)号：CN1497726A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310101407.5
申请日：2003-10-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体存储装置以及装载它的电子装置，谋求降低写入电压、增加强电介质电容器的能重写次数，以及充分长时间地确保数据保持的寿命的2个优点的并存。强电介质电容器使2个剩余极化的偏移(点b和点c)与数据“1”对应，使1个剩余极化的偏移(点a)与数据“0”对应。做到在写入数据“1”的场合，在强电介质电容器中外加电压的大小或脉冲宽度不同的2个电脉冲中的任何1个，强电介质电容器的剩余极化的偏移变成点b或c的任何1个。另一方面，做到在写入数据“0”的场合，强电介质电容器的剩余极化的偏移变成点a。
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