公开(公告)号：CN102859690B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201180010408.1

申请日：2011-02-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 巍志强 ,  高木刚 ,  饭岛光辉

IPC: H01L27/105 ,  G11C13/00 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1226 ,  G11C13/0002 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/249 ,  H01L45/08 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

Abstract: 工艺较简单、能够制造具有稳定的存储性能的非易失性存储装置的制造方法包括：在基板（11）上交替地层叠含有过渡金属的多个导电层（13）和由绝缘材料构成的多个层间绝缘膜（17）而形成层叠构造体的工序；形成将上述层叠构造体贯通且使导电层（13）的一部分露出的接触孔的工序；将导电层（13）的露出在上述接触孔中的部分氧化、形成电阻值基于施加的电信号可逆地变化的电阻变化层（14）的工序；以及在上述接触孔中埋入导电材料、在上述接触孔中形成与电阻变化层（14）连接的柱状电极（12）的工序。

公开(公告)号：CN102859690A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180010408.1

申请日：2011-02-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 巍志强 ,  高木刚 ,  饭岛光辉

IPC: H01L27/105 ,  G11C13/00 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1226 ,  G11C13/0002 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/249 ,  H01L45/08 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

Abstract: 工艺较简单、能够制造具有稳定的存储性能的非易失性存储装置的制造方法包括：在基板（11）上交替地层叠含有过渡金属的多个导电层（13）和由绝缘材料构成的多个层间绝缘膜（17）而形成层叠构造体的工序；形成将上述层叠构造体贯通且使导电层（13）的一部分露出的接触孔的工序；将导电层（13）的露出在上述接触孔中的部分氧化、形成电阻值基于施加的电信号可逆地变化的电阻变化层（14）的工序；以及在上述接触孔中埋入导电材料、在上述接触孔中形成与电阻变化层（14）连接的柱状电极（12）的工序。