公开(公告)号：CN1822321B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200610007750.7

申请日：2006-02-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川瀬文俊 ,  柴田聪

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/665 ,  Y10S438/914

Abstract: 本发明提供一种热处理方法及热处理装置，其不依赖于在晶片上形成的回路图案的面积、图案的设置以及构成回路的膜的材料等，可以在大致相同的热处理条件下进行热处理。将晶片(10)导入利用加热装置(4)在容器(2)内形成的处于放射平衡状态的温度空间(8)的下部低温区域(垂直方向位置B)并对其进行保持，使基板温度缓慢上升至750℃～800℃。然后，将晶片导入温度空间(8)的高温区域(垂直方向位置C)并对其进行保持，使基板温度上升至热处理温度，并且，实施规定时间的热处理。从而，可以不依赖于晶片(10)的状态(氮化硅膜、多晶硅膜的基板覆盖面积比例)，来进行均匀的热处理。

公开(公告)号：CN1822321A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610007750.7

申请日：2006-02-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川瀬文俊 ,  柴田聪

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/665 ,  Y10S438/914

Abstract: 本发明提供一种热处理方法及热处理装置，其不依赖于在晶片上形成的回路图案的面积、图案的设置以及构成回路的膜的材料等，可以在大致相同的热处理条件下进行热处理。将晶片(10)导入利用加热装置(4)在容器(2)内形成的处于放射平衡状态的温度空间(8)的下部低温区域(垂直方向位置B)并对其进行保持，使基板温度缓慢上升至750℃～800℃。然后，将晶片导入温度空间(8)的高温区域(垂直方向位置C)并对其进行保持，使基板温度上升至热处理温度，并且，实施规定时间的热处理。从而，可以不依赖于晶片(10)的状态(氮化硅膜、多晶硅膜的基板覆盖面积比例)，来进行均匀的热处理。