公开(公告)号：CN100352061C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN02157058.2

申请日：2002-12-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 青木成刚 ,  斋藤徹 ,  能泽克弥

IPC: H01L29/737 ,  H01L27/04 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7371

Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及其制造方法，该半导体器件在绝缘层上具有在外延生长的同时所制造的很厚的多结晶半导体层。在集电开口部(5)上，外延生长由Si缓冲层(7d)、SiGe隔离层、倾斜SiGe层以及Si覆盖层的Si/SiGe层(7)，同时在氮化膜(6)的上面上和氧化膜(5)以及氮化膜(6)的侧面上沉积多结晶层(8)。此时，通过制成Si缓冲层(7d)之后制成SiGe隔离层等膜，确实进行非选择外延生长，并在氮化膜(6)上又制成多结晶层(8)。

公开(公告)号：CN1449056A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN02157058.2

申请日：2002-12-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 青木成刚 ,  斋藤徹 ,  能泽克弥

IPC: H01L29/737 ,  H01L27/04 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7371

Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及其制造方法，该半导体器件在绝缘层上具有在外延生长的同时所制造的很厚的多结晶半导体层。在集电开口部5上，外延生长由Si缓冲层7d、SiGe隔离层、倾斜SiGe层以及Si覆盖层的Si/SiGe层7，同时在氮化膜6的上面上和氧化膜5以及氮化膜6的侧面上沉积多结晶层8。此时，通过制成Si缓冲层7d之后制成SiGe隔离层等膜，确实进行非选择外延生长，并在氮化膜6上又制成多结晶层8。