公开(公告)号：CN101361190A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200680051284.0

申请日：2006-12-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 新添真人 ,  平田和久 ,  山田彻

IPC: H01L29/768 ,  H01L21/339 ,  H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L29/66954 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14812 ,  H01L27/14831 ,  H01L29/76833

Abstract: 在半导体衬底(101)上依序层叠第一氧化膜(102)及第一氮化膜(103)。多个第一栅电极(104)排列第一氮化膜(103)上，相互间留有规定的间隔。由第二氧化膜(105)覆盖各第一栅电极(104)的上部及侧壁。由第二氮化膜(106)覆盖第二氧化膜(105)、和各个第一栅电极(104)间的第一氮化膜(103)。至少在相邻的各个第一栅电极(104)间的第二氮化膜(106)上形成多个第二栅电极(107)。各个第二栅电极(107)与第一栅电极(104)由第二氧化膜(105)及第二氮化膜(106)隔开，同时，第二栅电极(107)与半导体衬底(101)由第一氧化膜(102)、第一氮化膜(103)及第二氮化膜(106)隔开。