公开(公告)号：CN1967847A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610162467.1

申请日：2006-11-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 服藤宪司 ,  桑原公仁

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/563 ,  H01L21/823864 ,  H01L23/3171 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7843 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件，通过在半导体芯片本身设置对沟道区施加应力的结构，同时在封装制造工序中，在Si芯片1的电路面一侧安装低热膨胀率膜2，从而能够实现一种封装结构，该封装结构是即使在封装制造工序后，也使置于芯片内的MOSFET的沟道区产生所希望的应力分布及大小，通过这样使迁移率增加并且电流驱动力增大。

公开(公告)号：CN1226750A

公开(公告)日：1999-08-25

申请号：CN99100820.0

申请日：1999-02-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高木刚 ,  服藤宪司

IPC: H01L29/737

CPC classification number: H01L29/7376

Abstract: 在异质结双极型晶体管的Si发射极层5内的发射结附近区域中设有由组成不同的超薄膜势阱层10a和势垒层10b交互层叠而形成的为多重量子势垒部的MQB层10。借助MQB层10对要从SiGe基极层4流向Si发射极层5的空穴进行反射之作用,实效上提高势垒高度来抑制空穴的反向注入。结果,即使增加基区掺杂浓度,靠MQB层10仍能抑制载流子反向注入,能得到足够的电流放大率,并能提高最大振荡频率。