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公开(公告)号:CN1147693A
公开(公告)日:1997-04-16
申请号:CN96110303.5
申请日:1996-06-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/30 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/321 , C23C16/507
Abstract: 在等离子处理方法中,通过将基片置于真空腔内的电极上、把气体导入真空腔并同时排出内部气体、向螺旋放电线圈施加高频电压并同时使真空腔内保持某一压力,以在真空腔内产生等离子体,从而处理基片,其特征在于:在处理基片时,至少改变气体类型、气体流速、压力、向线圈和电极施加的高频功率值及它们的高频电源频率等控制参数之一。该方法包括根据改变任何控制参数的定时选择,使等离子体密度平面分布得以控制的步骤。
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公开(公告)号:CN1113397C
公开(公告)日:2003-07-02
申请号:CN96110303.5
申请日:1996-06-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/30 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/321 , C23C16/507
Abstract: 在等离子处理方法中,通过将基片置于真空腔内的电极上、把气体导入真空腔并同时排出内部气体、向螺旋放电线圈施加高频电压并同时使真空腔内保持某一压力,以在真空腔内产生等离子体,从而处理基片,其特征在于:在处理基片时,至少改变气体类型、气体流速、压力、向线圈和电极施加的高频功率值及它们的高频电源频率等控制参数之一。该方法包括根据改变任何控制参数的定时选择,使等离子体密度平面分布得以控制的步骤。
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公开(公告)号:CN1076518C
公开(公告)日:2001-12-19
申请号:CN95115736.1
申请日:1995-09-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/24 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/321 , C23C16/507
Abstract: 本发明揭示一种等离子体处理装置,它包括:真空容器、基板电极、放电线圈、高频电源、用导线连至放电线圈且用连接电缆连至高频电源的匹配电路;通过把高频电压施加至放电线圈,在真空容器内产生等离子体,从而处理基板电极上的基板;其特征在于,所述放电线圈一部分或全部制成多重涡形的放电线圈或多重螺旋形的放电线圈。具有放电线圈用匹配电路的匹配用并联线圈引起的电力效率降低小及温升小的优点。
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公开(公告)号:CN1132930A
公开(公告)日:1996-10-09
申请号:CN95115736.1
申请日:1995-09-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/203 , H01L21/205 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/321 , C23C16/507
Abstract: 本发明揭示一种等离子体处理装置,它包括:真空容器、基板电极、放电线圈、高频电源、用导线连至放电线圈且用连接电缆连至高频电源的匹配电路;通过把高频电压施加至放电线圈,在真空容器内产生等离子体,从而处理基板电极上的基板;其特征在于,所述放电线圈一部分或全部制成多重涡形的放电线圈或多重螺旋形的放电线圈。具有放电线圈用匹配电路的匹配用并联线圈引起的电力效率降低小及温升小的优点。
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