发光装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102089853B

    公开(公告)日:2013-08-21

    申请号:CN200980126594.8

    申请日:2009-07-08

    Inventor: 栎原勉 幡井崇

    CPC classification number: H01J61/305 H01J61/16 H01J63/04 H01J63/08

    Abstract: 本发明的发光装置由气密容器(1)、气体、电子源(2)、阳极电极(3)、控制装置(5)及荧光体(4)构成。气密容器具有气密性。气体被密封在气密容器(1),并该气体受到电子(500)的激发而发射第一光(501)。电子源(2)配置在气密容器(1)内部,因施加驱动电压而发射电子(500)。阳极电极(3)配置在气密容器(1)内部。控制装置(5)向电子源(2)施加驱动电压。荧光体(4)设置在气密容器(1)的内部,并受到所述第一光(501)的激发而发射第二光。电子源(2)因施加放电电压而发射出电子(500),该电子(500)的能量分布具有峰值。能量分布的所述峰值比所述气体的激发能大,比所述气体的离子能小。

    电子器件及其制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102792411A

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN201180012504.X

    申请日:2011-03-31

    CPC classification number: H01J9/025 B82Y10/00 H01J1/312 H01J2201/312

    Abstract: 本发明提供一种电子器件,其具备:基板;第1电极,其形成在所述基板的一个表面侧;第2电极,其在与所述第1电极的所述基板侧相反的侧与所述第1电极对置;和功能层,其设在第1电极与第2电极之间,且具备通过用电解液对第1多晶半导体层进行阳极氧化处理而形成的多个微晶半导体;其中,在所述第1电极与所述功能层之间且在所述功能层的正下方,设有第2多晶半导体层,该第2多晶半导体层与所述第1多晶半导体层相比由所述电解液产生的阳极氧化速度慢,且该第2多晶半导体层为选择性地对所述第1多晶半导体层进行阳极氧化处理的阻挡层。

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