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公开(公告)号：CN102656711B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201080039427.2
申请日：2010-09-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/12 , H01L21/205 , H01L33/06 , H01L33/32
CPC classification number: C30B25/14 , C30B25/16 , C30B25/186 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供由含有Al作为构成元素的氮化物半导体形成的高品质的氮化物半导体多层结构及其制造方法，以及作为缓冲层具备由含有Al作为构成元素的氮化物半导体形成的高品质的氮化物半导体多层结构的氮化物半导体发光元件。本发明的氮化物半导体发光元件是在由蓝宝石基板形成的单晶基板(1)的一个表面侧具有缓冲层(2)、n型氮化物半导体层(3)、发光层(4)和p型氮化物半导体层(5)的层叠结构。构成缓冲层(2)的氮化物半导体多层结构的特征在于，具备：形成于单晶基板(1)的上述一个表面上且由AlN形成的多个岛状的核(2a)，和以填埋相邻的核(2a)间的间隙且覆盖全部的核(2a)的方式形成于单晶基板(1)的上述一个表面侧的由AlN层形成的第1氮化物半导体层(2b)，和形成于第1氮化物半导体层(2b)上的由AlN层形成的第2氮化物半导体层(2c)，并且，核(2a)的密度不超过6×109个cm-2。
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公开(公告)号：CN101981711B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200980110753.5
申请日：2009-03-23
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/02 , H01L33/025 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种具有改善的内部量子效率的发光层和具有高的光输出的氮化物半导体发光器件。所述氮化物半导体发光器件包括用于外延生长的单晶衬底(1)、形成在单晶衬底(1)的上表面侧上的第一缓冲层(2)、形成在第一缓冲层(2)的上表面侧上的n-型氮化物半导体层(3)、通过第二缓冲层(4)形成在n-型氮化物半导体层(3)的上表面侧上的第三缓冲层(5)、形成在第三缓冲层(5)的上表面侧上的发光层(6)和形成在发光层(6)的上表面侧上的p-型氮化物半导体层(7)。第三缓冲层(5)用于减少发光层(6)中的线位错和剩余畸变，改善发光层(6)的基层的平坦度，以及进一步地通过利用第三缓冲层(5)中产生的载流子来改变发光层(6)中的压电场，并且在第三缓冲层(5)中添加Si充当施主的杂质。
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公开(公告)号：CN102656711A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201080039427.2
申请日：2010-09-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/12 , H01L21/205 , H01L33/06 , H01L33/32
CPC classification number: C30B25/14 , C30B25/16 , C30B25/186 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供由含有Al作为构成元素的氮化物半导体形成的高品质的氮化物半导体多层结构及其制造方法，以及作为缓冲层具备由含有Al作为构成元素的氮化物半导体形成的高品质的氮化物半导体多层结构的氮化物半导体发光元件。本发明的氮化物半导体发光元件是在由蓝宝石基板形成的单晶基板(1)的一个表面侧具有缓冲层(2)、n型氮化物半导体层(3)、发光层(4)和p型氮化物半导体层(5)的层叠结构。构成缓冲层(2)的氮化物半导体多层结构的特征在于，具备：形成于单晶基板(1)的上述一个表面上且由AlN形成的多个岛状的核(2a)，和以填埋相邻的核(2a)间的间隙且覆盖全部的核(2a)的方式形成于单晶基板(1)的上述一个表面侧的由AlN层形成的第1氮化物半导体层(2b)，和形成于第1氮化物半导体层(2b)上的由AlN层形成的第2氮化物半导体层(2c)，并且，核(2a)的密度不超过6×109个cm-2。
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公开(公告)号：CN102947955A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201180029764.8
申请日：2011-06-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种紫外半导体发光元件，其在n型氮化物半导体层与p型氮化物半导体层之间具有发光层，而且具有与n型氮化物半导体层接触的n电极和与p型氮化物半导体层接触的p电极，p型氮化物半导体层具备带隙比发光层小、与p电极的接触为欧姆接触的p型接触层。在p型氮化物半导体层中的与发光层相反侧的表面上，避开p电极的形成区域地形成有凹部，在凹部的内底面形成有反射从发光层放射的紫外光的反射膜。
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公开(公告)号：CN102792411A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180012504.X
申请日：2011-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J2201/312
Abstract: 本发明提供一种电子器件，其具备：基板；第1电极，其形成在所述基板的一个表面侧；第2电极，其在与所述第1电极的所述基板侧相反的侧与所述第1电极对置；和功能层，其设在第1电极与第2电极之间，且具备通过用电解液对第1多晶半导体层进行阳极氧化处理而形成的多个微晶半导体；其中，在所述第1电极与所述功能层之间且在所述功能层的正下方，设有第2多晶半导体层，该第2多晶半导体层与所述第1多晶半导体层相比由所述电解液产生的阳极氧化速度慢，且该第2多晶半导体层为选择性地对所述第1多晶半导体层进行阳极氧化处理的阻挡层。
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公开(公告)号：CN103718312A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201280037565.6
申请日：2012-07-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/06 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 在一种用于氮化物半导体发光元件的制造方法中，所述氮化物半导体发光元件包含：单晶衬底1；和AlN层2；和第一导电类型的第一氮化物半导体层3；和由AlGaN基材料构成的发光层4；和第二导电类型的第二氮化物半导体层6，形成所述AlN层2的步骤包含：第一步骤，将Al源气体和N源气体供应至所述反应器中，以生成将为所述单晶衬底1的所述表面101上的所述AlN层2的部分的具有Al极性的一组AlN晶核2a；和第二步骤，在所述第一步骤之后将所述Al源气体和所述N源气体供应至所述反应器中，以形成所述AlN层2。
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