公开(公告)号：CN100414710C

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200610006740.1

申请日：2006-01-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 栗山俊宽

IPC: H01L27/148 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14812

Abstract: 提供一种固体摄像器件，具备半导体衬底(1)，该半导体衬底(1)上具有：多个受光部，排列成1维状或2维状；垂直传送部，将从受光部读出的信号电荷沿垂直方向传送；水平传送部，将由垂直传送部传送的上述信号电荷沿水平方向传送；阻挡区(5)，与上述水平传送部相邻，形成为仅使水平传送部的剩余电荷通过；漏区(6)，与上述阻挡区(5)相邻，用于将通过了上述阻挡区(5)的上述剩余电荷排出；以及绝缘层(8)，与上述漏区(6)相邻；上述漏区(6)形成为，其一部分位于上述绝缘层(8)的下层。

公开(公告)号：CN101009295A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200710001642.3

申请日：2007-01-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 栗山俊宽 ,  友泽淳

IPC: H01L27/148 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/1462 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14806

Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置，其可以防止由斜光造成的混色，并且可以减少存在于各像素间的受光灵敏度的偏差。在由半导体基板(11)规定的受光区域中形成：等间隔地以矩阵状形成的多个受光元件(15)、与多个受光元件(15)对应地设于半导体基板(11)上并读出各受光元件(15)所产生的电荷的多个读出电极(13)、将多个读出电极(13)覆盖并且在各受光元件(15)上具有开口区域的遮光膜(17)、设于各受光元件(15)上的开口区域中的第一光波导路(8)、设于遮光膜上的第二光波导路(10)。第二光波导路(10)被制成点、条纹或格子状。

公开(公告)号：CN1697193A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510068815.4

申请日：2005-05-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 栗山俊宽

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14812 ,  H04N2005/2255

Abstract: 本发明的目的在于提供一种既能维持固体摄像器件的抗静电破坏性，又能使摄像机小型化的固体摄像器件，该固体摄像器件包括：输送由将入射光进行光电转换而产生的信号电荷，并将信号电荷转换为电信号之后作为摄像信号输出的摄像部(100)；以及具有信号用电极片(111)、电源用电极片(112)和保护电路(113)的外围电路部分(110)。保护电路(113)具有相互反相的二极管(320、330)，将来自外部侵入的静电泄放到电源用电极片(112)。

公开(公告)号：CN1595657A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410068215.3

申请日：2004-08-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 栗山俊宽

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14605 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14818 ,  H01L31/0232

Abstract: 在本发明所述的固体成像器件中，光敏元54在半导体衬底51上设置的感光区按照均匀的间距以矩阵的形式排列，每个光敏元包括一个可以接收光的光接收区域。在半导体衬底51上提供多个对应于光敏元54的探测电极53，用于探测由每个光敏元54产生的电荷。多个互连57覆盖探测电极53，并且在其上施加电压。在互连57上以网格图案形成多个反射壁62，以将光敏元54各自分隔开，该反射壁用于将从上方进入半导体衬底51的光的一部分反射到每个光敏元54的光接收区域上。多个反射壁62和互连57是电绝缘的。

公开(公告)号：CN101017838A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200610163713.5

申请日：2006-11-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西岛健一 ,  栗山俊宽

IPC: H01L27/148 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/14812

Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置，包括：多个光电转换部，其以阵列状配置于基板，对入射到受光部(11a)的光进行光电转换；多个垂直传送寄存器，其分别包括按列形成于基板的垂直传送通道以及形成于该垂直传送通道之上的多个垂直传送电极(14)，读出各光电转换部的电荷并在列方向上进行传送；和多个分流布线(17)，其按列形成于各垂直传送电极之上，将驱动脉冲供给到对应的垂直传送电极(14)，各分流布线(17)具有使各受光部(11a)露出的窗部(17a)，并形成为包围各受光部(11a)。这样，可以实现每个像素的灵敏度提高且摄像部内的灵敏度的偏差小的固体摄像装置。

公开(公告)号：CN101009296A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200710004047.5

申请日：2007-01-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 栗山俊宽

IPC: H01L27/148 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/14831 ,  H01L29/76816 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的固体摄像器件，包括：浮置扩散电容部，形成在半导体衬底上，保持基于受光而产生的信号电荷；放大器部，将保持在上述浮置扩散电容部中的电荷转换成电压；第1布线，连接上述浮置扩散电容部和上述放大器部的输入；以及第2布线，使用与上述第1布线相同的材料且形成在同一层，布置在上述第1布线的周围之中至少与长边相邻的位置上，且与上述第1布线电绝缘。

公开(公告)号：CN1953196A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200610121319.5

申请日：2006-08-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 栗山俊宽

IPC: H01L27/148 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/14812 ,  H01L29/768

Abstract: 固体摄像装置形成按二维矩阵状排列的多个受光部；多个垂直传送部，沿垂直方向传送从各受光部读出的信号电荷；水平传送部，接收通过垂直传送部传送的信号电荷并沿水平方向传送；阻挡层区域，与水平传送部邻接使水平传送部的剩余电荷通过；排出区域，与阻挡层区域邻接排出通过了阻挡层的剩余电荷；总线，与排出区域平行配置，用于向水平传送部的电极施加控制电压；总线和水平传送部的电极通过在总线和排出区域之间配置的连接图形来进行连接。通过该结构，可以提供抑制水平传送部中的功率损耗，并可兼顾高象素化和低耗电量的固体摄像装置及制造方法。

公开(公告)号：CN1527397A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN200410007464.1

申请日：2004-03-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 栗山俊宽

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/10 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14806

Abstract: 本发明提供一种电荷检测装置，能低电压且高效率地将蓄积电荷转换为电压，另外输出电压的动态范围大，转换效率的线性良好。其具备由在P阱(101)内的低浓度N型(N－)层(108)及在N－层和主表面之间形成的高浓度N型(N+)层构成的电荷蓄积部，N+层与输出电路的放大用晶体管(405)的输入端子连接，在蓄积电荷的排出中对N+层加反向偏置电压后，至少到蓄积饱和电荷之前，N－层全部耗尽。

公开(公告)号：CN100428484C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200410068215.3

申请日：2004-08-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 栗山俊宽

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14605 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14818 ,  H01L31/0232

Abstract: 在本发明所述的固体成像器件中，光敏元54在半导体衬底51上设置的感光区按照均匀的间距以矩阵的形式排列，每个光敏元包括一个可以接收光的光接收区域。在半导体衬底51上提供多个对应于光敏元54的探测电极53，用于探测由每个光敏元54产生的电荷。多个互连57覆盖探测电极53，并且在其上施加电压。在互连57上以网格图案形成多个反射壁62，以将光敏元54各自分隔开，该反射壁用于将从上方进入半导体衬底51的光的一部分反射到每个光敏元54的光接收区域上。多个反射壁62和互连57是电绝缘的。

公开(公告)号：CN100382329C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200410007464.1

申请日：2004-03-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 栗山俊宽

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/10 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14806

Abstract: 本发明提供一种电荷检测装置，能低电压且高效率地将蓄积电荷转换为电压，另外输出电压的动态范围大，转换效率的线性良好。其具备由在P阱(101)内的低浓度N型(N-)层(108)、及在N-层和主表面之间形成的高浓度N型(N+)层构成的电荷蓄积部，N+层与输出电路的放大用晶体管(405)的输入端子连接，在蓄积电荷的排出中对N+层加反向偏置电压后，至少到蓄积饱和电荷之前，N-层全部耗尽。