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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110462924A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880020596.8
申请日：2018-02-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01P5/02 , H02M1/08 , H03K17/691
Abstract: 电磁共振耦合器(100)在电介质层(112)的表面具备第一传输线路(300)并且在电介质层(113)的背面具备第二传输线路(400)。第一传输线路(300)具有共振布线(301、302)和输入输出布线(303、304)。第二传输线路(400)具有共振布线(401、402)和输入输出布线(403、404)。相互分离的罩接地部(501、502)设置于电介质层(113)的表面或者电介质层(112)的背面。经由连接部(503)使共振布线(301)与罩接地部(501)连接，经由连接部(504)使共振布线(402)与罩接地部(502)连接。
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公开(公告)号：CN1866729A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610084725.9
申请日：2006-05-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F1/30 , H03F3/189 , H03F3/20 , H03F2203/21178
Abstract: 将射频信号RF经由电容器C1－Cn当中的相应电容器输入到每个晶体管TR1－TRn的基极被放大，并从每个晶体管TR1－TRn的集电极输出。每个晶体管TR1－TRn的发射极接地。将从偏置电路Bias提供的偏置电压DC经由电阻器Ra1－Ran当中的相应电阻器输送给每个晶体管TR1－TRn的基极。用于偏置电压DC的信号线以直流方式经由桥接电阻器R连接到用于射频信号RF的输入线。
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公开(公告)号：CN100593902C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200610084725.9
申请日：2006-05-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F1/30 , H03F3/189 , H03F3/20 , H03F2203/21178
Abstract: 将射频信号RF经由电容器C1-Cn当中的相应电容器输入到每个晶体管TR1-TRn的基极，被放大，并从每个晶体管TR1-TRn的集电极输出。每个晶体管TR1-TRn的发射极接地。将从偏置电路Bias提供的偏置电压DC经由电阻器Ra1-Ran当中的相应电阻器输送给每个晶体管TR1-TRn的基极。用于偏置电压DC的信号线以直流方式经由桥接电阻器R连接到用于射频信号RF的输入线。
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公开(公告)号：CN101043202B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200710088411.0
申请日：2007-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种用于对高频信号进行功率放大的具有温度补偿功能的高频功率放大器，包括：功率放大晶体管，其具有接地的发射极；高功率输出偏置电路，其将与高频功率放大器的高功率输出相对应的高功率输出电流提供给功率放大晶体管；以及低功率输出偏置电路，其将与高频功率放大器的低功率输出相对应的低功率输出电流提供给功率放大晶体管。
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公开(公告)号：CN101043202A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710088411.0
申请日：2007-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种用于对高频信号进行功率放大的具有温度补偿功能的高频功率放大器，包括：功率放大晶体管，其具有接地的发射极；高功率输出偏置电路，其将与高频功率放大器的高功率输出相对应的高功率输出电流提供给功率放大晶体管；以及低功率输出偏置电路，其将与高频功率放大器的低功率输出相对应的低功率输出电流提供给功率放大晶体管。
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