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公开(公告)号:CN1282378C
公开(公告)日:2006-10-25
申请号:CN00117922.5
申请日:2000-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03G1/007 , H03G3/3042 , H04W52/10 , H04W52/52
Abstract: 为了通过使用单个控制电压达到在70dB或更大的宽范围内的线性增益控制(±1dB平坦度),在蜂窝移动电话终端的发射机的射频部分提供了以下结构的衰减器。也就是,对于射频信号的信号输入部分(34)和信号输出部分(35)由包含至少两个串联可变电阻(51和52)的信号线(55)连接;并联可变电阻(53和54)分别被连接在地线(57)和信号输入部分(34)与信号输出部分(35)之间;增益控制线被连接到可变电阻(51,52,53,和54);参考电压加入部分(23,27,31,和33)分别被连接到(51,52,53,和54);以及增益控制电压加入部分(19)通过增益控制线(56)被连接到每个可变电阻(51,52,53,和54)。
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公开(公告)号:CN1577954A
公开(公告)日:2005-02-09
申请号:CN200410062927.4
申请日:2004-07-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03G3/3042
Abstract: 具有与信号线A连接的基于至少1个以上的场效应晶体管的串联可变电阻及在信号输出部A与基准电位部GND之间连接的基于至少1个以上的场效应晶体管的并联可变电阻,还具有与信号线A并联设置的信号线B所连接的基于至少1个以上的场效应晶体管的串联可变电阻及在信号输出部B与基准电位部GND之间连接的基于至少1个以上的场效应晶体管的并联可变电阻。
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公开(公告)号:CN1275874A
公开(公告)日:2000-12-06
申请号:CN00117922.5
申请日:2000-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03G1/007 , H03G3/3042 , H04W52/10 , H04W52/52
Abstract: 为了通过使用单个控制电压达到在70dB或更大的宽范围内的线性增益控制(±1dB平坦度),在蜂窝移动电话终端的发射机的射频部分提供了以下结构的衰减器。也说是,对于射频信号的信号输入部分(34)和信号输出部分(35)由包含至少两个串联可变电阻(51和52)的信号线(55)连接;并联可变电阻(53和54)分别被连接在地线(57)和信号输入部分(34)与信号输出部分(35)之间;增益控制线被连接到可变电阻(51,52,53和54);参考电压加入部分(23,27,31,和33)分别被连接到(51,52,53,和54);以及增益控制电压加入部分(19)通过增益控制线(56)被连接到每个可变电阻(51,52,53和54)。
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公开(公告)号:CN101753107A
公开(公告)日:2010-06-23
申请号:CN200910170741.3
申请日:2009-09-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F1/0211 , H03F3/24 , H03F2200/408 , H03F2200/516
Abstract: 本发明提供一种高频电路,其不使用特别的附加电路就能抑制制造偏差产生时的高频放大器中的AM-PM特性偏移。在多级放大器中,例如,在级间电容(30、31)上产生制造偏差时,通过由电源电路(40)和乘法器(60)按照最终级的前一级(11)的集电极电压Vcc2比最终级(12)的集电极电压Vcc3小的方式进行控制,从而抑制AM-PM特性偏移。
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公开(公告)号:CN101557199A
公开(公告)日:2009-10-14
申请号:CN200910126554.5
申请日:2009-03-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F3/245 , H03F1/0261 , H03F1/302 , H03F3/19 , H03F2200/18 , H03F2200/27 , H03F2200/447
Abstract: 本发明的高频功率放大器具备对高频信号进行功率放大的第1晶体管以及向第1晶体管提供偏置电流的偏置电路。偏置电路包括:集电极端子连接于第1电源的第2晶体管;一端连接在第2晶体管的发射极端子上,另一端连接在第1晶体管的基极端子上的第1电阻元件;一端连接在第2晶体管的发射极端子上,另一端接地的第2电阻元件;设置于第2晶体管的基极端子与第2电源之间的一个以上的第3电阻元件;以及连接在第2晶体管的基极端子上,控制第2晶体管的基极电位以使电位随温度上升而下降的多个温度补偿电路。
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公开(公告)号:CN1520217A
公开(公告)日:2004-08-11
申请号:CN200410004810.0
申请日:2004-02-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03H11/245 , H03G1/0088 , H03G3/3036
Abstract: 在将从中频部输出的高频信号放大后提供给天线的高频部,设有带开关功能的增益控制器。带开关功能的增益控制器设有进行从中频部输出的两个频段的频段选择切换和选择频段的高频信号的增益控制的带开关功能衰减器。带开关功能衰减器设有连接信号输入部与信号输出部的第一可变电阻和与第一可变电阻并列设置并连接信号输入部与信号输出部的第二可变电阻。第一和第二可变电阻由共同的增益控制电压来控制,并被设定成用以改变电阻值的增益控制电压的范围不重叠。
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公开(公告)号:CN1155152C
公开(公告)日:2004-06-23
申请号:CN99801005.7
申请日:1999-04-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03G1/007 , H03H11/245 , H03K2217/0054
Abstract: 在携带终端发送部的高频部中,为了在70dB以上的大范围内线性地(平直度±1dB)进行对一个控制电压的增益控制,用至少由两个以上的串联的可变电阻51、52构成的信号线51连接信号输入部34和信号输出部35,将并联连接的可变电阻53、54分别连接在信号输入部34和接地线57之间、以及信号输出部35和接地线57之间,将增益控制线56连接在可变电阻51、52、53、54上,将基准电压施加部23、27、31、33连接在各个可变电阻51、52、53、54上,将增益控制电压施加部19通过增益控制线56连接在各个可变电阻51、52、53、54上。
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公开(公告)号:CN100593902C
公开(公告)日:2010-03-10
申请号:CN200610084725.9
申请日:2006-05-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F1/30 , H03F3/189 , H03F3/20 , H03F2203/21178
Abstract: 将射频信号RF经由电容器C1-Cn当中的相应电容器输入到每个晶体管TR1-TRn的基极,被放大,并从每个晶体管TR1-TRn的集电极输出。每个晶体管TR1-TRn的发射极接地。将从偏置电路Bias提供的偏置电压DC经由电阻器Ra1-Ran当中的相应电阻器输送给每个晶体管TR1-TRn的基极。用于偏置电压DC的信号线以直流方式经由桥接电阻器R连接到用于射频信号RF的输入线。
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公开(公告)号:CN101340178A
公开(公告)日:2009-01-07
申请号:CN200810128586.4
申请日:2008-06-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F1/0277
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够根据发送装置的输出来引发发送电路的最大效率,从而对范围较广的输出实现低耗电的发送装置。该发送装置具备:正交调制器,由输入信号生成调制信号;极性调制用发送电路,包括输入端子中被输入正交调制器所生成的调制信号的相位成分、电源供给端子中被输入正交调制器所生成的调制信号的振幅成分的第一功率放大器,并对调制信号进行极性调制;正交调制用发送电路,包括输入端子中被输入正交调制器所生成的调制信号、电源供给端子被供给一定的电压的第二功率放大器,并发送调制信号;以及开关,高输出时将正交调制器的输出与极性调制用发送电路的输入连接、低输出时将正交调制器的输出与正交调制用发送电路的输入连接。
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公开(公告)号:CN101162928A
公开(公告)日:2008-04-16
申请号:CN200710180124.2
申请日:2007-10-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F1/56 , H03F3/191 , H03F2200/318
Abstract: 小巧的高性能高频功率放大器易于调节和切换阻抗。高频功率放大器模块包括:第一半导体芯片,包括一个或多个高频放大装置;以及第二半导体芯片,包括一个或多个高频匹配电路装置和一个或多个开关装置。第二半导体芯片包括用于高频放大器装置的匹配电路。第二半导体芯片也包括由电容和与电容串联或并联的开关装置组成的电路。开关装置接通或者断开,使得电容连接或者不连接作为匹配电路的一部分。
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