公开(公告)号：CN101393913A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810212653.0

申请日：2008-08-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 樋口裕一郎 ,  高桥桂太

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/62 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11568 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 实现在FEOL电平的正负低电压的范围从扩散工序中的充电增强保护被保护元件，且，扩散工序结束后在被保护元件上能够施加驱动被保护元件所必须的正负两极性高电压的半导体装置。半导体装置，包括：具有被保护元件电极(22)的被保护元件(21)、具有与半导体衬底(11)电连接的衬底连接电极(42)的衬底连接部(41)、具有形成在被保护元件电极(22)和衬底连接电极(42)之间的保险膜(32)的保险构造(31)。保险膜(32)，形成为能够被切断，在没有切断保险膜(32)的状态下，被保护元件电极(22)、衬底连接电极(42)、及保险元件电极(32)由一体形成的导电膜(15)形成。