公开(公告)号：CN101399431A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810161749.9

申请日：2008-09-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横山毅 ,  鹿岛孝之 ,  牧田幸治

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/34 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/162 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0281 ,  H01S5/32316 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087

Abstract: 一种半导体激光装置，其在半导体基板(1)的一个主面的一部分即第1区域上，形成有第1半导体激光器构造(10)，该第1半导体激光器构造(10)具有从半导体基板侧开始依次层叠的第1下部包层(3)、具有第1量子阱构造的第1活性层(4)、及第1上部包层(5、7)，从而形成第1谐振器；在半导体基板的一个主面的与第1区域不同的第2区域上，形成有第2半导体激光器构造(20)，该第2半导体激光器构造(20)具有从半导体基板侧开始依次层叠的第2下部包层(13)、具有第2量子阱构造的第2活性层(14)、及第2上部包层(15、17)，从而形成第2谐振器。在第1和第2谐振器的端面形成有端面涂膜(31、32)，第1和第2谐振器的端面和端面涂膜之间形成有含氮层(30)。在具有以单块形成的高输出的双波长激光器的半导体激光装置中，可抑制激光器的高输出动作中的COD水平的降低。