-
公开(公告)号：CN101505036A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910001675.7
申请日：2009-01-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/2004 , H01S5/2201 , H01S5/2231 , H01S5/3202 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/185
Abstract: 稳定实现CW光输出200mW以上的集成型双波长半导体激光器。双波长半导体激光器装置具备：第1半导体激光器元件，具备第1导电型的第1包覆层、由AlGaAs混晶构成的第1引导层、具有由AlGaAs混晶构成的势垒层的第1量子阱活性层、由AlGaAs混晶构成的第2引导层、和第2导电型的第2包覆层；和第2半导体激光器元件，具备第1导电型的第3包覆层、由AlGaInP混晶构成的第3引导层、具有由AlGaInP混晶构成的势垒层的第2量子阱活性层、由AlGaInP混晶构成的第4引导层、和第2导电型的第4包覆层。至少构成第1量子阱活性层的势垒层、第1引导层及第2引导层各自的Al组成大于0.47且0.60以下。
-
公开(公告)号：CN101636820B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200880008459.9
申请日：2008-02-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/452 , H01L2924/0002 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01L2924/00
Abstract: 具备：AuGeNi合金层(13)，设置于n型GaAs层上；叠层体，由上述AuGeNi合金层(13)上所设置的接合金属层(15、17)及上述接合金属层(15、17)上所设置的势垒金属层(16、18)构成；叠层体设置2个周期以上。采用该结构，可以在GaAs类的接触层，特别是n型电极中，限制半导体的Ga及在n型电极上形成欧姆接合所需要的AuGeNi合金层的Ni等的表面扩散，可以提供低电阻的欧姆电极结构体及具有该欧姆电极结构体的半导体元件。
-
公开(公告)号：CN100375350C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200410096214.X
申请日：2004-11-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/227
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/0425 , H01S5/222 , H01S5/32325
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有阀值电流小且制作容易的结构，并且具有良好的温度特性和高速应答特性的半导体激光元件，具有n型GaAs基板(101)、n型GaAs基板(101)上形成的n型AlGaInP包覆层(102)、非掺杂量子井活性层(103)、p型AlGaInP第1包覆层(104)、p型GaInP腐蚀阻止层(105)、p型AlGaInP第2包覆层(106)、p型GaInP覆盖层(107)、p型GaAs接触层(108)和n型AlInP阻挡层(109)，具有脊背部和脊背部两侧的突起部，p型GaAs接触层(108)仅形成在脊背部的上面。
-
公开(公告)号：CN101399431A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810161749.9
申请日：2008-09-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/162 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0281 , H01S5/32316 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4031 , H01S5/4087
Abstract: 一种半导体激光装置，其在半导体基板(1)的一个主面的一部分即第1区域上，形成有第1半导体激光器构造(10)，该第1半导体激光器构造(10)具有从半导体基板侧开始依次层叠的第1下部包层(3)、具有第1量子阱构造的第1活性层(4)、及第1上部包层(5、7)，从而形成第1谐振器；在半导体基板的一个主面的与第1区域不同的第2区域上，形成有第2半导体激光器构造(20)，该第2半导体激光器构造(20)具有从半导体基板侧开始依次层叠的第2下部包层(13)、具有第2量子阱构造的第2活性层(14)、及第2上部包层(15、17)，从而形成第2谐振器。在第1和第2谐振器的端面形成有端面涂膜(31、32)，第1和第2谐振器的端面和端面涂膜之间形成有含氮层(30)。在具有以单块形成的高输出的双波长激光器的半导体激光装置中，可抑制激光器的高输出动作中的COD水平的降低。
-
公开(公告)号：CN101394066A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810213599.1
申请日：2008-09-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/22 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/173
Abstract: 本发明提供一种高输出功率、低成本的单片式双波长或其以上的多波长的激光器装置。半导体激光器装置，具备第1半导体激光器元件(12)和第2半导体激光器元件(13)。第1半导体激光器元件(12)，具有作为形成在端面附近的包含第1杂质的区域的第1端面窗构造(41)；第2半导体激光器元件，具有作为形成在端面附近的包含第2杂质的区域的第2端面窗构造(42)。从第1活性层(23)的下端到第1端面窗构造(41)的下端的距离，比从第2活性层(33)的下端到第2端面窗构造(42)的下端的距离短。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101373884A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810130888.5
申请日：2008-08-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/4025 , H01S5/0201 , H01S5/2201
Abstract: 在半导体基板上，使第1导电型的包覆层、活性层、第2导电型的第1包覆层及第2导电型的第2包覆层依次进行晶体生长，对上述第2导电型的第2包覆层进行加工，形成带状的多个脊形结构部，在与上述脊形结构部的长度方向正交的方向上裂开，形成激光条；将在脊形结构部的长度方向上隔开指定的间隔而排列脊形结构部后的列排列多个；该列和邻接的列，在脊形结构部的长度方向上错开，以使得脊形结构部的端部和邻接的脊形结构部的另一端部在脊形结构部的长度方向上互相重叠；使脊形结构部的端部和邻接的脊形结构部的端部相重叠的区域裂开。采用该方法，就可以提供一种能以简单的方法对每个芯片判别谐振器长度的偏差是否在允许范围内的半导体激光装置的制造方法以及其制造工序中的半导体激光条的检查方法。
-
公开(公告)号：CN101047302A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610071540.4
申请日：2006-03-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 在一种能高功率输出的单片双波长半导体激光装置中，通过共同的步骤为每个激光器单元形成窗口结构，由此提高了该装置的可靠性。该半导体激光装置具有单片集成在n型半导体衬底101上的红外激光器单元110和红色激光器单元120。红外和红色激光器单元110和120的每一个都具有在每个谐振器端面上由Zn扩散形成的脊形波导和窗口结构。红外和红色激光器单元110和120包括在各自波导脊上的p型接触层109和119。p型接触层109薄于p型接触层119。
-
公开(公告)号：CN1979982A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610153128.7
申请日：2006-12-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种半导体激光元件，包括：第1导电型的半导体基板(1)；第1导电型的包覆层(3)，设置在半导体基板上；活性层(4)，设置在第1导电型的包覆层上；第2导电型的第1包覆层(5)，设置在活性层上；第2导电型的第2包覆层(7)，设置在第1包覆层上，形成沿谐振器方向延长的脊状波导；第2导电型的接触层(9)，设置在第2导电型的第2包覆层上；端面窗结构(11)，杂质扩散到谐振器方向的端面部的活性层区域，能带间隙比作为该端面部以外的部分的增益区域扩大；在第2导电型的包覆层中，与端面窗结构的区域的杂质浓度相比，增益区域的杂质浓度相同或更大。形成折射率变化小的端面窗结构，电阻比以往高，抑制向谐振器方向的Zn扩散。
-
公开(公告)号：CN1585219A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410057538.2
申请日：2004-08-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/227
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/2216 , H01S5/2222
Abstract: 本发明的半导体激光器包括：第一电导型包层，在谐振器延长方向上至少有一个脊型结构的第二电导型包层，位于两包层间的有源层和至少覆盖脊型结构一个侧面的电流阻挡层。电流阻挡层包括了氢化第一电介质膜。在这种由电介质生成电流阻挡层的结构中，光的限制效率被增强，激光器振荡阈值降低，且在高温和大功率振荡下的电流特性被改善。
-
公开(公告)号：CN101505036B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200910001675.7
申请日：2009-01-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/2004 , H01S5/2201 , H01S5/2231 , H01S5/3202 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/185
Abstract: 稳定实现CW光输出200mW以上的集成型双波长半导体激光器。双波长半导体激光器装置具备：第1半导体激光器元件，具备第1导电型的第1包覆层、由AlGaAs混晶构成的第1引导层、具有由AlGaAs混晶构成的势垒层的第1量子阱活性层、由AlGaAs混晶构成的第2引导层、和第2导电型的第2包覆层；和第2半导体激光器元件，具备第1导电型的第3包覆层、由AlGaInP混晶构成的第3引导层、具有由AlGaInP混晶构成的势垒层的第2量子阱活性层、由AlGaInP混晶构成的第4引导层、和第2导电型的第4包覆层。至少构成第1量子阱活性层的势垒层、第1引导层及第2引导层各自的Al组成大于0.47且0.60以下。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.03 seconds)
