公开(公告)号：CN1146060C

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN97190741.2

申请日：1997-05-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山田由佳 ,  吉田岳人 ,  武山茂 ,  松田祐二 ,  武藤胜彦

IPC: H01L33/00 ,  H01L31/00

CPC classification number: H01L33/26 ,  H01L31/1804 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/18 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/258

Abstract: 一种光电子材料，它包括具有可控电学特性的均匀介质；以及分布于该介质中且平均微粒尺寸为100nm或更小的半导体特细微粒，本发明还涉及使用该材料的应用器件。本发明也涉及光电子材料的制造方法，通过用激光辐射置于处在低压惰性气体环境下的反应室中一种半导体材料的第一靶以及置于该反应室中具有可控电学特性的第二靶，在置于反应室中的衬底上，凝聚/生长从第一靶烧蚀的半导体材料，以集中成为平均微粒尺寸为100nm或更小的特细微粒。

公开(公告)号：CN1516239A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN03103491.8

申请日：1997-05-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山田由佳 ,  吉田岳人 ,  武山茂 ,  松田祐二 ,  武藤胜彦

IPC: H01L21/203 ,  H05B33/00 ,  H01L33/00 ,  H01L31/08

CPC classification number: H01L33/26 ,  H01L31/1804 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/18 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/258

Abstract: 一种光电子材料，它包括具有可控电学特性的均匀介质；以及分布于该介质中且平均微粒尺寸为100nm或更小的半导体特细微粒，本发明还涉及使用该材料的应用器件。本发明也涉及光电子材料的制造方法，通过用激光辐射置于处在低压惰性气体环境下的反应室中一种半导体材料的第一靶以及置于该反应室中具有可控电学特性的第二靶，在置于反应室中的衬底上，凝聚/生长从第一靶烧蚀的半导体材料，以集中成为平均微粒尺寸为100nm或更小的特细微粒。

公开(公告)号：CN1196828A

公开(公告)日：1998-10-21

申请号：CN97190741.2

申请日：1997-05-26

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  松下电子工业株式会社

Inventor： 山田由佳 ,  吉田岳人 ,  武山茂 ,  松田祐二 ,  武藤胜彦

IPC: H01L21/203 ,  H05B33/00 ,  H01L33/00 ,  H01L31/08

CPC classification number: H01L33/26 ,  H01L31/1804 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/18 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/258

Abstract: 一种光电子材料,它包括具有可控电学特性的均匀介质;以及分布于该介质中且平均微粒尺寸为100nm或更小的半导体特细微粒,本发明还涉及使用该材料的应用器件。本发明也涉及光电子材料的制造方法,通过用激光辐射置于处在低压惰性气体环境下的反应室中一种半导体材料的第一靶以及置于该反应室中具有可控电学特性的第二靶,在置于反应室中的衬底上,凝聚/生长从第一靶烧蚀的半导体材料,以集中成为平均微粒尺寸为100nm或更小的特细微粒。