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公开(公告)号：CN1196549A
公开(公告)日：1998-10-21
申请号：CN98107042.6
申请日：1998-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/127
Abstract: 通过在金属磁性膜1之间使用以SiO2作为主成分的非磁性氧化物层7夹持Cr2O3层结构的磁隙材料,提供具有精度提高的磁隙6的MIG形磁头。若在非磁性氧化物层中使用硼硅酸盐玻璃等硅酸盐玻璃,则抑制磁隙材料的偏磨损。另外,至少在Tg－85℃≤T≤Tg－35℃的温度范围,在包含氧的气氛中进行接合磁心半体2的低熔点玻璃4(玻璃转变点Tg)的加热,能改善低熔点玻璃的流动性。
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