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1.

发明公开
半导体装置及其制造方法无效

公开(公告)号：CN1949472A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200610142367.2

申请日：2006-10-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 越智元隆 , 津野盛和

IPC: H01L21/762 , H01L21/822 , H01L27/146

CPC classification number: H01L21/76224 , H01L21/31053 , H01L27/1463 , H01L27/14683

Abstract: 在半导体基板(1)上形成STI(7)的形成方法中，在半导体基板上形成保护氧化膜，在保护氧化膜上形成硅氮化膜，通过照相平版法和干式蚀刻，将硅氮化膜和保护氧化膜贯穿，并除去半导体基板的一部分以形成沟槽部，在沟槽部和硅氮化膜上形成掩埋氧化膜，通过CMP除去硅氮化物膜上的掩埋氧化膜和硅氮化膜的表面部，通过湿式蚀刻除去沉积在沟槽部的掩埋氧化膜的一部分。本发明可以提供一种使在微细结构的半导体装置中的STI台阶高差一致的STI的制造方法。

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