公开(公告)号：CN1638140A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200510003903.6

申请日：2005-01-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 越智元隆

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/14687 ,  H01L29/66409

Abstract: 提供了一种用于制造固态成像装置的方法，其中二维布置多个像素以形成一个光敏区域，每个所述像素包括一个光敏二极管，该光敏二极管对入射光进行光电转换以便存储一个信号电荷，以及用于从所述光敏二极管读出所述信号电荷的读出元件，而用于驱动所述光敏区域内行方向上的多个像素的一个纵向驱动电路、用于驱动同一光敏区域内列方向上的多个像素的一个横向驱动电路、以及用于放大输出信号的一个放大电路由MOS晶体管构成。该方法包括：在所述多个光敏二极管和所述多个MOS晶体管之间形成一个具有STI(浅槽隔离)结构的元件隔离区域；以及形成厚度为10纳米或更薄的所述MOS晶体管的栅极氧化物膜。所述MOS晶体管的栅极形成之后的所有热处理工艺在不超过900℃的温度范围内进行。在具有精细结构的MOS型固态成像装置中，可以充分抑制图像缺陷的发生。

公开(公告)号：CN1610126A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410085688.4

申请日：2004-10-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三室研 ,  内田干也 ,  越智元隆

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/1463

Abstract: 一种固体成像装置，包括：形成在P型阱内的多个N型光电二极管区；栅极，具有与每一个所述光电二极管区相邻的一个边缘，以及厚度不多于10nm的栅氧化膜；N型漏区，与该栅极的另一边缘相邻；和具有浅槽隔离结构的元件隔离部分。栅极的一个边缘交叠光电二极管区。在从光电二极管区延伸到漏区的表面部分上形成第一区、第二区和第三区，形成的状态使得：设置第一区与栅极的一个边缘相距预定的距离并具有P型第一浓度C1，设置第二区具有与第一区相邻的一个边缘和交叠该栅极的另一边缘，并具有P型第二浓度C2，设置第三区具有与第二区相邻的一个边缘和与该漏区相邻的另一边缘，并具有P型第三浓度C3，其中C1＞C2＞C3或C1≈C2＞C3。它具有良好的低压读出特性，并充分抑制诸如白瑕疵和暗电流的图像缺陷。

公开(公告)号：CN1949472A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200610142367.2

申请日：2006-10-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 越智元隆 ,  津野盛和

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/822 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/31053 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14683

Abstract: 在半导体基板(1)上形成STI(7)的形成方法中，在半导体基板上形成保护氧化膜，在保护氧化膜上形成硅氮化膜，通过照相平版法和干式蚀刻，将硅氮化膜和保护氧化膜贯穿，并除去半导体基板的一部分以形成沟槽部，在沟槽部和硅氮化膜上形成掩埋氧化膜，通过CMP除去硅氮化物膜上的掩埋氧化膜和硅氮化膜的表面部，通过湿式蚀刻除去沉积在沟槽部的掩埋氧化膜的一部分。本发明可以提供一种使在微细结构的半导体装置中的STI台阶高差一致的STI的制造方法。

公开(公告)号：CN100454564C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200510003903.6

申请日：2005-01-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 越智元隆

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/14687 ,  H01L29/66409

Abstract: 提供了一种用于制造固态成像装置的方法，其中二维布置多个像素以形成一个光敏区域，每个所述像素包括一个光敏二极管，该光敏二极管对入射光进行光电转换以便存储一个信号电荷，以及用于从所述光敏二极管读出所述信号电荷的读出元件，而用于驱动所述光敏区域内行方向上的多个像素的一个纵向驱动电路、用于驱动同一光敏区域内列方向上的多个像素的一个横向驱动电路、以及用于放大输出信号的一个放大电路由MOS晶体管构成。该方法包括：在所述多个光敏二极管和所述多个MOS晶体管之间形成一个具有STI(浅槽隔离)结构的元件隔离区域；以及形成厚度为10纳米或更薄的所述MOS晶体管的栅极氧化物膜。所述MOS晶体管的栅极形成之后的所有热处理工艺在不超过900℃的温度范围内进行。在具有精细结构的MOS型固态成像装置中，可以充分抑制图像缺陷的发生。

公开(公告)号：CN100435341C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200410085688.4

申请日：2004-10-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三室研 ,  内田干也 ,  越智元隆

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/1463

Abstract: 一种固体成像装置，包括：形成在P型阱内的多个N型光电二极管区；栅极，具有与每一个所述光电二极管区相邻的一个边缘，以及厚度不多于10nm的栅氧化膜；N型漏区，与该栅极的另一边缘相邻；和具有浅槽隔离结构的元件隔离部分。栅极的一个边缘交叠光电二极管区。在从光电二极管区延伸到漏区的表面部分上形成第一区、第二区和第三区，形成的状态使得：设置第一区与栅极的一个边缘相距预定的距离并具有P型第一浓度C1，设置第二区具有与第一区相邻的一个边缘和交叠该栅极的另一边缘，并具有P型第二浓度C2，设置第三区具有与第二区相邻的一个边缘和与该漏区相邻的另一边缘，并具有P型第三浓度C3，其中C1＞C2＞C3或C1≈C2＞C3。它具有良好的低压读出特性，并充分抑制诸如白瑕疵和暗电流的图像缺陷。

公开(公告)号：CN101053081A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200580037527.0

申请日：2005-10-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田干也 ,  三室研 ,  越智元隆

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14601

Abstract: 一种固体摄像器件，具备以矩阵状配置在半导体基板(1)上并分别具有光电二极管的多个感光单元、和具有多个晶体管并用来驱动多个感光单元的周边驱动电路。作为多个晶体管具备将被传递与由光电二极管生成的信号电荷对应的信号电位并保持该信号电位的第1扩散层(2)作为源极或漏极的第1晶体管、和将不被传递信号电荷的第2扩散层作为源极或漏极的第2晶体管。在第1晶体管的第1扩散层的表面形成的金属硅化物层(4)的端缘与栅电极(6)的端缘之间的边缘间隔(D1)，比在第2晶体管的第2扩散层的表面形成的金属硅化物层的端缘与栅电极的端缘之间的边缘间隔大。能够抑制周边驱动电路的晶体管的漏泄电流、以高精度保持已摄像的图像信息。