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发明公开
半导体集成电路无效

公开(公告)号：CN101207127A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710193325.6

申请日：2007-12-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 渡边慎治 , 生驹大策 , 山下恭司 , 大谷一弘

IPC: H01L27/092

CPC classification number: H01L27/0207 , H01L21/82385 , H01L21/823892 , H01L27/0922

Abstract: 本发明的集成电路，包括：第一导电型的第一阱；在栅极长度方向延伸的阱边界中与第一阱相接的第二导电型的第二阱；具有设置在所述第一阱内的第二导电型的第一活性区的第一晶体管；设置在所述第一阱内，具有与第一活性区在栅极宽度方向的长度不同的第二导电型的第二活性区的第二晶体管。第一活性区的栅极宽度方向的中心位置以阱边界为基准，与第二活性区的栅极宽度方向的中心位置一致。从而提供了一种能高精度且高效率进行模拟的半导体集成电路。

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