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公开(公告)号：CN1725491A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510085984.9
申请日：2005-07-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/82 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76895 , H01L21/823475 , H01L27/0207
Abstract: 提供一种抑制由光邻近效应引起的晶体管的栅极长度不均匀的半导体装置。本发明的半导体装置，横跨P型扩散区域、N型扩散区域以及元素分离区域形成，备有：具有位于扩散区域上的栅极电极单元(G21a～G21c)和位于元素分离区域上的栅极布线单元(G22a～G22c)的多个栅极多晶硅膜(G20a～G20c)。并且，贯通层间绝缘膜，设有连接在栅极布线单元(G22a～G22c)的栅极触点(C23a～C23c)，连接在各栅极触点(C23a～C23c)的布线(M21)。栅极触点(C23a～C23c)的直径R比栅极多晶硅膜(G20)的栅极长度L大。
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公开(公告)号：CN1983600A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610170051.4
申请日：2006-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L21/823878 , H01L21/823892 , H01L29/41758
Abstract: 本发明提供一种将距晶体管的阱端的距离考虑在内的半导体电路装置的设计方法。具有N阱(112)和P阱(113)的单元中，将从N阱(112)内的接触用N型区域(106)的中心线(121)到N阱端(101’)的距离SP04，设定成晶体管不受抗蚀剂影响的距离。从势阱边界(101)到接触用N型区域(106)的中心线(121)的距离等于SP04。P阱113上，也采取与N阱112相同的设计。由此，单元内的晶体管，可实现考虑来自一个方向的抗蚀剂的影响的建模。此外，通过作成满足上述条件的单元阵列，可以提高设计精度。
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公开(公告)号：CN100539144C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510085984.9
申请日：2005-07-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/82 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76895 , H01L21/823475 , H01L27/0207
Abstract: 提供一种抑制由光邻近效应引起的晶体管的栅极长度不均匀的半导体装置。本发明的半导体装置，横跨P型扩散区域、N型扩散区域以及元素分离区域形成，备有：具有位于扩散区域上的栅极电极单元(G21a～G21c)和位于元素分离区域上的栅极布线单元(G22a～G22c)的多个栅极多晶硅膜(G20a～G20c)。并且，贯通层间绝缘膜，设有连接在栅极布线单元(G22a～G22c)的栅极触点(C23a～C23c)，连接在各栅极触点(C23a～C23c)的布线(M21)。栅极触点(C23a～C23c)的直径R比栅极多晶硅膜(G20)的栅极长度L大。
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公开(公告)号：CN101207127A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710193325.6
申请日：2007-12-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/092
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L21/82385 , H01L21/823892 , H01L27/0922
Abstract: 本发明的集成电路，包括：第一导电型的第一阱；在栅极长度方向延伸的阱边界中与第一阱相接的第二导电型的第二阱；具有设置在所述第一阱内的第二导电型的第一活性区的第一晶体管；设置在所述第一阱内，具有与第一活性区在栅极宽度方向的长度不同的第二导电型的第二活性区的第二晶体管。第一活性区的栅极宽度方向的中心位置以阱边界为基准，与第二活性区的栅极宽度方向的中心位置一致。从而提供了一种能高精度且高效率进行模拟的半导体集成电路。
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