公开(公告)号：CN1725509A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200510089308.9

申请日：1997-02-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 荒井雅利 ,  濑川瑞树 ,  薮俊树

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的半导体包括：半导体衬底；形成在上述半导体衬底中、含有用于生成载流子的第1种导电类型杂质的MOS型场效应晶体管的源区和漏区；含有氮的氮扩散层，其中的氮在因与半导体原子的碰撞而导致的缺陷不超过检测基准值的状态下导入包括上述源区和漏区的至少一部分的区域；上述源区和漏区内的上述第1种导电类型杂质的浓度分布从半导体衬底内靠近表面的区域的最大浓度位置向着上述半导体衬底的纵深方向减少，同时在达到上述最大浓度位置下方的规定位置之前其减少比率较大，而在比上述规定位置还向纵深方向的区域上减少比率较小。

公开(公告)号：CN1236501C

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN97102164.3

申请日：1997-02-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 荒井雅利 ,  濑川瑞树 ,  薮俊树

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/72 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28 ,  H01L21/82

Abstract: 提供了一种设有高性能且可靠性高的MOS型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法。在已形成器件隔离4的硅衬底1上边形成栅极氧化膜2和栅极电极3。其次用4步大倾角离子注入法从25°倾斜的方向上注入氮离子在栅极氧化膜2的两个端部形成氮氧化层5a，在硅衬底1内形成氮扩散层6a。之后，通过注入杂质离子以形成低浓度源·漏区7；在栅极电极3的两侧面上形成侧壁8之后，通过注入杂质离子以形成高浓度源漏区9。

公开(公告)号：CN1494152A

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN03159897.8

申请日：2003-09-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 筒江诚 ,  薮俊树 ,  加藤义明 ,  上田哲也 ,  濑尾晓

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76838 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，在具有MIM电容的半导体装置中形成高容量高可靠性的MIM电容。本发明的半导体装置备有设置在半导体基片(101)上的层间绝缘膜(204)和埋入上述层间绝缘膜(204)，与上述半导体基片(101)导通的配线(208a)、(208c)，MIM电容(201)具有由金属构成的第1和第2电极(208b)、(214b)和由电介质构成的电容绝缘膜(210)，上述第1电极(208b)埋入上述层间绝缘膜(204)中，上述电容绝缘膜(210)设置在上述第1电极(208b)上，上述第2电极(214b)是通过上述电容绝缘膜(210)与上述第1电极(208b)对置设置的金属层。

公开(公告)号：CN1163489A

公开(公告)日：1997-10-29

申请号：CN97102164.3

申请日：1997-02-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 荒井雅利 ,  濑川瑞树 ,  薮俊树

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/72 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28 ,  H01L21/82

Abstract: 提供了一种设有高性能且可靠性高的MOS型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法。在已形成器件隔离4的硅衬底1上边形成栅极氧化膜2和栅极电极3。其次用4步大倾角离子注入法从25°倾斜的方向上注入氮离子在栅极氧化膜2的两个端部形成氮氧化层5a，在硅衬底1内形成氮扩散层6a。之后，通过注入杂质离子以形成低浓度源·漏区7；在栅极电极3的两侧面上形成侧壁8之后，通过注入杂质离子以形成高浓度源漏区9。

公开(公告)号：CN100426525C

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200510089308.9

申请日：1997-02-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 荒井雅利 ,  濑川瑞树 ,  薮俊树

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的半导体包括：半导体衬底；形成在上述半导体衬底中、含有用于生成载流子的第1种导电类型杂质的MOS型场效应晶体管的源区和漏区；含有氮的氮扩散层，其中的氮在因与半导体原子的碰撞而导致的缺陷不超过检测基准值的状态下导入包括上述源区和漏区的至少一部分的区域；上述源区和漏区内的上述第1种导电类型杂质的浓度分布从半导体衬底内靠近表面的区域的最大浓度位置向着上述半导体衬底的纵深方向减少，同时在达到上述最大浓度位置下方的规定位置之前其减少比率较大，而在比上述规定位置还向纵深方向的区域上减少比率较小。

公开(公告)号：CN1241264C

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN03159897.8

申请日：2003-09-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 筒江诚 ,  薮俊树 ,  加藤义明 ,  上田哲也 ,  濑尾晓

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76838 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，在具有MIM电容的半导体装置中形成高容量高可靠性的MIM电容。本发明的半导体装置备有设置在半导体基片(101)上的层间绝缘膜(204)和埋入上述层间绝缘膜(204)，与上述半导体基片(101)导通的配线(208a)、(208c)，MIM电容(201)具有由金属构成的第1和第2电极(208b)、(214b)和由电介质构成的电容绝缘膜(210)，上述第1电极(208b)埋入上述层间绝缘膜(204)中，上述电容绝缘膜(210)设置在上述第1电极(208b)上，上述第2电极(214b)是通过上述电容绝缘膜(210)与上述第1电极(208b)对置设置的金属层。