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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101765973A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200880100938.3
申请日：2008-09-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 熊丸知之
IPC: H03K17/16 , H01L21/822 , H01L27/04 , H03K19/00
CPC classification number: H03K17/164
Abstract: 为了在半导体集成电路的电源切断结构中，抑制瞬时电流以及以其为起因的电源噪声的产生，本发明包括对针对被控制电路的电源供给进行控制的开关电路。开关电路包括分别具有不同电流能力的多个晶体管。带有某种规则性地按照电流能力从小到大的顺序依次设置所述晶体管。
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公开(公告)号：CN101114526B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200710137612.5
申请日：2007-07-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 熊丸知之
IPC: G11C27/00
CPC classification number: G11C5/147 , H03K19/0016
Abstract: 一种包括数据保持电路的半导体集成电路装置，其无论预先存储在数据保持电路中的数据状态如何，通过先将数据保持电路的电源电压设置成小于特定电压，然后再将数据保持电路的电源电压设置成特定电压或大于特定电压，来将数据保持电路设置成所期望的数据状态。
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公开(公告)号：CN1398046A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN02141058.5
申请日：2002-07-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K19/0948
CPC classification number: H03K19/0016 , G05F1/56
Abstract: 一种半导体集成电路，在倒相电路的工作状态下，将端子(18)、端子(19)均设置为第一电源电位Vdd1。在非工作状态下，将端子(18)的电源电位降低到第二电源电位Vdd2(Vdd2＜＜Vdd1)。此时，如果设倒相电路的输入信号是H电平的电位Vdd2，则输出信号有必要保持工作状态下的接地电位(L电平)。为进行保持，有必要使PMOS晶体管的电导Gp和NMOS晶体管的电导Gn的关系为Gp＜Gn。因此，把PMOS晶体管的阱端子(19)设置为比所述下降的电源电位Vdd2还高的电位，保持Gp＜Gn。实现低耗电。
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公开(公告)号：CN101114526A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710137612.5
申请日：2007-07-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 熊丸知之
IPC: G11C27/00
CPC classification number: G11C5/147 , H03K19/0016
Abstract: 一种包括数据保持电路的半导体集成电路装置，其无论预先存储在数据保持电路中的数据状态如何，通过先将数据保持电路的电源电压设置成小于特定电压，然后再将数据保持电路的电源电压设置成特定电压或大于特定电压，来将数据保持电路设置成所期望的数据状态。
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公开(公告)号：CN1232040C
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN02141058.5
申请日：2002-07-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K19/0948
CPC classification number: H03K19/0016 , G05F1/56
Abstract: 一种半导体集成电路，在倒相电路的工作状态下，将端子(18)、端子(19)均设置为第一电源电位Vdd1。在非工作状态下，将端子(18)的电源电位降低到第二电源电位Vdd2(Vdd2＜＜Vdd1)。此时，如果设倒相电路的输入信号是H电平的电位Vdd2，则输出信号有必要保持工作状态下的接地电位(L电平)。为进行保持，有必要使PMOS晶体管的电导Gp和NMOS晶体管的电导Gn的关系为Gp＜Gn。因此，把PMOS晶体管的阱端子(19)设置为比所述下降的电源电位Vdd2还高的电位，保持Gp＜Gn。实现低耗电。
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