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公开(公告)号：CN1232040C
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN02141058.5
申请日：2002-07-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K19/0948
CPC classification number: H03K19/0016 , G05F1/56
Abstract: 一种半导体集成电路，在倒相电路的工作状态下，将端子(18)、端子(19)均设置为第一电源电位Vdd1。在非工作状态下，将端子(18)的电源电位降低到第二电源电位Vdd2(Vdd2＜＜Vdd1)。此时，如果设倒相电路的输入信号是H电平的电位Vdd2，则输出信号有必要保持工作状态下的接地电位(L电平)。为进行保持，有必要使PMOS晶体管的电导Gp和NMOS晶体管的电导Gn的关系为Gp＜Gn。因此，把PMOS晶体管的阱端子(19)设置为比所述下降的电源电位Vdd2还高的电位，保持Gp＜Gn。实现低耗电。
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公开(公告)号：CN1123122C
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN97109372.5
申请日：1997-11-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03M1/00
Abstract: 一种不受差动放大电路的偏置电压影响并且高速高精度进行A/D转换的A/D转换器。差动放大电路(10a～10h)放大模拟信号与参考电压(Vr1～Vr8)的电压差，分别输出正相输出电(a+～h+)、反相输出电压(a-～h-)。配有第1和第2触发器群(20A、20B)的各触发器列在对应的差动放大电路的输出电压超过预定值时保持第1和2振荡电路(30A、30B)的输出信号(I1～I5)。利用时间运算电路(41)和转换运算电路(42)运算表示模拟信号(Vin)的数字值。
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公开(公告)号：CN103270591A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180062153.3
申请日：2011-09-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: H01L23/5386 , H01L23/49816 , H01L23/49833 , H01L23/4985 , H01L24/05 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/0401 , H01L2224/1403 , H01L2224/16148 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73207 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81193 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/00015 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种电子元器件安装结构中间体、电子元器件安装结构体及电子元器件安装结构体的制造方法。在利用CoC对半导体芯片进行层叠而得到的半导体装置中，无论各芯片的尺寸如何，都能实现芯片的小型化。安装结构中间体包括：第一芯片（1），该第一芯片（1）具有第一连接端子（3）；第二芯片（9），该第二芯片（9）在其与第一芯片相对的面上具有第二连接端子（10）；以及薄膜布线基板（8），该薄膜布线基板（8）的一个面上具有第三连接端子（7），并配置在第一芯片与第二芯片之间，该安装结构中间体装载在具有第五连接端子（13）的芯片装载基板（12）上，使第一芯片的另一个面与芯片装载基板相对。薄膜布线基板上具有较第一芯片及第二芯片均向外侧伸出的部分，其前端部上设有通过布线与第三连接端子相连的第四连接端子，第一连接端子的一部分与第二连接端子相连，第三连接端子与第一连接端子的另一部分相连，第五连接端子与第四连接端子相连。
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公开(公告)号：CN1137516C
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN98107049.3
申请日：1998-02-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01R31/3004 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体器件包括：包括多个电路块的阵列部分；漏电流切断部分，用于切断出现在阵列部分中多个电路块的至少一个中的漏电流；以及控制部分，用于根据漏电流切断信息控制漏电流切断部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1080949C
公开(公告)日：2002-03-13
申请号：CN97180254.8
申请日：1997-10-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H02M3/155
Abstract: 一种电源设备200包括一个能量提供电路210和一个能量保存电路220，前者用来在预定的时间提供能量；后者用未接收由能量提供电路210提供的能量和保存该能量。能量保存电路220含有一个电感221、一个在一个节点222处连接于电感于221的一端的电容223和一个在一个节点224处连接于电感221的另一端的电容225。能量是通过节点222和节点224中的至少一个节点提供给负载的。
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公开(公告)号：CN1398046A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN02141058.5
申请日：2002-07-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K19/0948
CPC classification number: H03K19/0016 , G05F1/56
Abstract: 一种半导体集成电路，在倒相电路的工作状态下，将端子(18)、端子(19)均设置为第一电源电位Vdd1。在非工作状态下，将端子(18)的电源电位降低到第二电源电位Vdd2(Vdd2＜＜Vdd1)。此时，如果设倒相电路的输入信号是H电平的电位Vdd2，则输出信号有必要保持工作状态下的接地电位(L电平)。为进行保持，有必要使PMOS晶体管的电导Gp和NMOS晶体管的电导Gn的关系为Gp＜Gn。因此，把PMOS晶体管的阱端子(19)设置为比所述下降的电源电位Vdd2还高的电位，保持Gp＜Gn。实现低耗电。
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公开(公告)号：CN1239601A
公开(公告)日：1999-12-22
申请号：CN97180254.8
申请日：1997-10-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H02M3/155
Abstract: 一种电源设备200包括一个能量提供电路210和一个能量保存电路220，前者用来在预定的时间提供能量；后者用来接收由能量提供电路210提供的能量和保存该能量。能量保存电路220含有一个电感221、一个在一个节点222处连接于电感于221的一端的电容223和一个在一个节点224处连接于电感221的另一端的电容225。能量是通过节点222和节点224中的至少一个节点提供给负载的。
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公开(公告)号：CN1197294A
公开(公告)日：1998-10-28
申请号：CN98107049.3
申请日：1998-02-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01R31/3004 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体器件包括:包括多个电路块的阵列部分;漏电流切断部分,用于切断出现在阵列部分中多个电路块的至少一个中的漏电流;以及控制部分,用于根据漏电流切断信息控制漏电流切断部分。
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公开(公告)号：CN1186384A
公开(公告)日：1998-07-01
申请号：CN97109372.5
申请日：1997-11-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03M1/00
Abstract: 一种不受差动放大电路的偏置电压影响并且高速高精度进行A/D转换的A/D转换器。差动放大电路10a～10h放大模拟信号与参考电压Vr1～Vr8的电压差,分别输出正相输出电压a+～h+、反相输出电压a－～h－。配有第1和第2触发器群20A、20B的各触发器列在对应的差动放大电路的输出电压超过预定值时保持第1和2振荡电路30A、30B的输出信号I1～I5。利用时间运算电路41和转换运算电路42运算表示模拟信号Vin的数字值。
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