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公开(公告)号：CN1767013A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510097940.8
申请日：2005-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/0948
Abstract: 本发明提供一种光盘装置，该光盘装置即使在记录面上存在光盘制造阶段中产生的残损等的缺陷部分时，也能将对跟踪控制的干扰限制得很小。输出端子(2)，与光拾取器(1)连接，输出将在主光束之前的先行副光束的返回光转换为电信号后得到的先行副光束返回光信号。缺陷期间检测电路(5)，根据来自上述输出端子(2)的先行副光束返回光信号，检测光束通过光盘(8)的缺陷部分的过程中的缺陷期间。伺服保持电路(7)，在上述检测出的缺陷期间中，保持跟踪伺服。因此，即使在缺陷期间中RF信号的振幅急剧地衰减，也能在其衰减的早期阶段检测缺陷期间，并能将跟踪误差信号的振幅的变化抑制得很小。
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公开(公告)号：CN1284145C
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200410056095.5
申请日：2004-08-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/1275 , G11B7/1263 , G11B2007/0006
Abstract: 在用于控制多功能驱动器激光功率的激光功率控制装置中，应用于第一光盘的第一激光Lc和应用于第二光盘的第二激光Ld由一个光电探测器8采集。
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公开(公告)号：CN1320529C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200510097940.8
申请日：2005-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/0948
Abstract: 本发明提供一种光盘装置，该光盘装置即使在记录面上存在光盘制造阶段中产生的残损等的缺陷部分时，也能将对跟踪控制的干扰限制得很小。输出端子(2)，与光拾取器(1)连接，输出将在主光束之前的先行副光束的返回光转换为电信号后得到的先行副光束返回光信号。缺陷期间检测电路(5)，根据来自上述输出端子(2)的先行副光束返回光信号，检测光束通过光盘(8)的缺陷部分的过程中的缺陷期间。伺服保持电路(7)，在上述检测出的缺陷期间中，保持跟踪伺服。因此，即使在缺陷期间中RF信号的振幅急剧地衰减，也能在其衰减的早期阶段检测缺陷期间，并能将跟踪误差信号的振幅的变化抑制得很小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1591594A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410056095.5
申请日：2004-08-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/1275 , G11B7/1263 , G11B2007/0006
Abstract: 在用于控制多功能驱动器激光功率的激光功率控制装置中，应用于第一光盘的第一激光Lc和应用于第二光盘的第二激光Ld由一个光电探测器8采集。
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公开(公告)号：CN100407312C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200610077710.X
申请日：2004-08-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/125
CPC classification number: G11B7/1275 , G11B7/1263 , G11B2007/0006
Abstract: 在用于控制多功能驱动器激光功率的激光功率控制装置中，应用于第一光盘的第一激光Lc和应用于第二光盘的第二激光Ld由一个光电探测器8采集。
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公开(公告)号：CN1855256A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610077710.X
申请日：2004-08-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/125
CPC classification number: G11B7/1275 , G11B7/1263 , G11B2007/0006
Abstract: 在用于控制多功能驱动器激光功率的激光功率控制装置中，应用于第一光盘的第一激光Lc和应用于第二光盘的第二激光Ld由一个光电探测器8采集。
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公开(公告)号：CN100574094C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200610101729.3
申请日：2006-07-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种可变跨导电路。所述可变跨导装置，包括电压-电流转换电路，输出相对于输入电压信号(Vi)为线性的电流信号；第1MOS晶体管和第2MOS晶体管(M1、M2)，输入上述电流信号，转换成进行了平方根压缩的电压信号；以及第3MOS晶体管和第4MOS晶体管(M3、M4)，将上述进行了平方根压缩的电压信号转换成线性电流信号，通过分别使第1MOS晶体管和第2MOS晶体管(M1、M2)的偏置电流(Ia)、与第3MOS晶体管和第4MOS晶体管(M3、M4)的偏置电流(Ib)发生变化来控制gm，能够在1个电路中以3V左右的低电源电压实现20倍左右的可变gm，并能够解决功耗、安装电路面积的增大的问题。
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公开(公告)号：CN1893262A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610101729.3
申请日：2006-07-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种可变跨导电路。所述可变跨导装置，包括电压－电流转换电路，输出相对于输入电压信号(Vi)为线性的电流信号；第1MOS晶体管和第2MOS晶体管(M1、M2)，输入上述电流信号，转换成进行了平方根压缩的电压信号；以及第3MOS晶体管和第4MOS晶体管(M3、M4)，将上述进行了平方根压缩的电压信号转换成线性电流信号，通过分别使第1MOS晶体管和第2MOS晶体管(M1、M2)的偏置电流(Ia)、与第3MOS晶体管和第4MOS晶体管(M3、M4)的偏置电流(Ib)发生变化来控制gm，能够在1个电路中以3V左右的低电源电压实现20倍左右的可变gm，并能够解决功耗、安装电路面积的增大的问题。
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