公开(公告)号：CN100574094C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200610101729.3

申请日：2006-07-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森川浩安 ,  片田真三康 ,  西中麻里绘

IPC: H03F3/45 ,  G11B7/09

Abstract: 本发明提供一种可变跨导电路。所述可变跨导装置，包括电压-电流转换电路，输出相对于输入电压信号(Vi)为线性的电流信号；第1MOS晶体管和第2MOS晶体管(M1、M2)，输入上述电流信号，转换成进行了平方根压缩的电压信号；以及第3MOS晶体管和第4MOS晶体管(M3、M4)，将上述进行了平方根压缩的电压信号转换成线性电流信号，通过分别使第1MOS晶体管和第2MOS晶体管(M1、M2)的偏置电流(Ia)、与第3MOS晶体管和第4MOS晶体管(M3、M4)的偏置电流(Ib)发生变化来控制gm，能够在1个电路中以3V左右的低电源电压实现20倍左右的可变gm，并能够解决功耗、安装电路面积的增大的问题。

公开(公告)号：CN1893262A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610101729.3

申请日：2006-07-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森川浩安 ,  片田真三康 ,  西中麻里绘

IPC: H03F3/45 ,  G11B7/09

Abstract: 本发明提供一种可变跨导电路。所述可变跨导装置，包括电压－电流转换电路，输出相对于输入电压信号(Vi)为线性的电流信号；第1MOS晶体管和第2MOS晶体管(M1、M2)，输入上述电流信号，转换成进行了平方根压缩的电压信号；以及第3MOS晶体管和第4MOS晶体管(M3、M4)，将上述进行了平方根压缩的电压信号转换成线性电流信号，通过分别使第1MOS晶体管和第2MOS晶体管(M1、M2)的偏置电流(Ia)、与第3MOS晶体管和第4MOS晶体管(M3、M4)的偏置电流(Ib)发生变化来控制gm，能够在1个电路中以3V左右的低电源电压实现20倍左右的可变gm，并能够解决功耗、安装电路面积的增大的问题。