晶片级老化方法以及晶片级老化装置

    公开(公告)号:CN101243549A

    公开(公告)日:2008-08-13

    申请号:CN200680029289.3

    申请日:2006-05-29

    Abstract: 至少将温度调节用平板(106)分割成2个区域,并且将用于对该区域施加温度负载的加热器(408)与其控制系进行分割,以分别独立地对设定温度进行控制,冷却源将为了对加热器(408)进行控制而设置在各区域的温度传感器(409)的测定值进行比较,并通过依次切换控制输出计算用的测定值来进行控制,从而能够降低由于施加电负载时的发热而引起的晶片温度的面内温度的差异。通过这样,能够防止探头的消耗、燃烧,并且能够提供一种可靠性高的晶片级老化方法以及晶片级老化装置。

    晶片级老化方法以及晶片级老化装置

    公开(公告)号:CN101253612A

    公开(公告)日:2008-08-27

    申请号:CN200680031303.3

    申请日:2006-06-26

    CPC classification number: G01R31/2874 H01L21/67248

    Abstract: 本发明提供一种晶片级老化方法以及晶片级老化装置。当进行晶片级老化时,采用从晶片(101)的发热密度所算出的修正值,修正温度控制中所采用的设定温度,以进行温度控制。通过这样,与形成在晶片(101)上的器件的合格分布以及器件的消耗功率无关,能够消除由于施加电负载时的发热而引起的晶片温度与用于施加温度负载的控制温度之差,并且能够防止探针的消耗、燃烧,从而能够实现可靠性高的筛选。

    晶片级老化方法以及晶片级老化装置

    公开(公告)号:CN100583408C

    公开(公告)日:2010-01-20

    申请号:CN200680029289.3

    申请日:2006-05-29

    Abstract: 至少将温度调节用平板(106)分割成2个区域,并且将用于对该区域施加温度负载的加热器(408)与其控制系进行分割,以分别独立地对设定温度进行控制,冷却源将为了对加热器(408)进行控制而设置在各区域的温度传感器(409)的测定值进行比较,并通过依次切换控制输出计算用的测定值来进行控制,从而能够降低由于施加电负载时的发热而引起的晶片温度的面内温度的差异。通过这样,能够防止探头的消耗、燃烧,并且能够提供一种可靠性高的晶片级老化方法以及晶片级老化装置。

    半导体测试装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1892244A

    公开(公告)日:2007-01-10

    申请号:CN200610098421.8

    申请日:2006-07-04

    CPC classification number: H01L21/67248 G01R31/2856 G01R31/2874

    Abstract: 一种半导体测试装置,包括:基板,其具有面对晶片的表面,在进行老化测试时,具有多个嵌入式半导体器件的半导体晶片面对所述表面地设置;提供在所述基板上的布线层;和温度传感器,其用于在所述半导体晶片面对所述基板地放置的状态下测量所述半导体晶片的温度,其中所述布线层包括布线,所述布线在所述半导体晶片面对所述基板地放置的状态下连接到所述半导体晶片,并提供用于老化测试的信号和电压给所述半导体晶片,并且所述温度传感器临近所述面对晶片的表面地提供在所述基板上。

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