公开(公告)号：CN103889571B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201280043179.8

申请日：2012-08-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 羽藤一仁 ,  德弘宪一 ,  铃木孝浩 ,  野村幸生 ,  太田健一郎 ,  石原显光

IPC: B01J27/24 ,  C01B3/04 ,  C25B1/04 ,  C25B9/00 ,  C25B9/06

CPC classification number: B01J27/24 ,  B01J19/127 ,  B01J35/004 ,  B01J37/347 ,  C01B3/042 ,  C25B1/003 ,  C25B1/04 ,  C25B9/00 ,  C25B9/06 ,  Y02E60/364 ,  Y02E60/366

Abstract: 本发明提供一种半导体材料，其是如下的半导体材料，即，在含有选自第4族元素及第5族元素中的至少任意一种元素的氮氧化物中，将选自氧及氮中的至少任意一种的一部分用碳置换。作为第5族元素，优选为Nb。

公开(公告)号：CN103889571A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280043179.8

申请日：2012-08-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 羽藤一仁 ,  德弘宪一 ,  铃木孝浩 ,  野村幸生 ,  太田健一郎 ,  石原显光

IPC: B01J27/24 ,  B01J23/20 ,  B01J35/02 ,  C01B3/04 ,  H01M4/86 ,  H01M8/10

CPC classification number: B01J27/24 ,  B01J19/127 ,  B01J35/004 ,  B01J37/347 ,  C01B3/042 ,  C25B1/003 ,  C25B1/04 ,  C25B9/00 ,  C25B9/06 ,  Y02E60/364 ,  Y02E60/366

Abstract: 本发明提供一种半导体材料，其是如下的半导体材料，即，在含有选自第4族元素及第5族元素中的至少任意一种元素的氮氧化物中，将选自氧及氮中的至少任意一种的一部分用碳置换。作为第5族元素，优选为Nb。