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公开(公告)号：CN103403940A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280011114.5
申请日：2012-02-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M8/04119 , H01M8/04029 , H01M8/04291 , H01M8/0606 , H01M8/0656 , H01M16/003 , Y02E60/364
Abstract: 本发明提供一种能量系统，具备：光氢生成部(101)，其通过光催化作用分解水，来生成氢；燃料电池(103)，其通过由光氢生成部(101)产生的氢和氧化气体之间的反应进行发电的同时，将作为反应生成物的水排出；和水配送机构(104)，其将从燃料电池(103)排出的作为反应生成物的水返回到光氢生成部(101)。通过这样的结构，能够抑制来自外部的水的供给量在少量，从而能够提供水收支平衡的能量系统。
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公开(公告)号：CN101910470B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200980101633.9
申请日：2009-10-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M8/0656 , C25B1/003 , H01G9/205 , H01M16/006 , H01M2008/1095 , Y02E10/542 , Y02E60/366 , Y02P20/135
Abstract: 光电化学电池(100)具备：包括导电体(121)及n型半导体层(122)的半导体电极(120)、与导电体(121)电连接的对电极(130)、与n型半导体层(122)及对电极(130)的表面接触的电解液(140)、和对半导体电极(120)、对电极(130)及电解液(140)进行收容的容器(110)，通过n型半导体层(122)被照射光而产生氢。半导体电极(120)被设定成，以真空能级为基准，(I)n型半导体层(122)的表面附近区域处的传导带及价电子带的带边沿能级，分别具有n型半导体层(122)的与导电体(121)的接合面附近区域处的传导带及价电子带的带边沿能级以上的大小；(II)n型半导体层(122)的接合面附近区域的费米能级，比n型半导体层(122)的表面附近区域的费米能级大；且(III)导电体(121)的费米能级比n型半导体层(122)中的接合面附近区域的费米能级大。
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公开(公告)号：CN102575361A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080046454.2
申请日：2010-11-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C25B1/003 , C01B3/042 , H01M8/0606 , H01M14/005 , Y02E60/364 , Y02E60/366 , Y02E60/50 , Y02P20/135
Abstract: 本发明的光电化学电池(100)具备：半导体电极(120)，该半导体电极(120)包括导电体(121)、具有纳米管阵列构造的第一n型半导体层(122)、以及第二n型半导体层(123)；与导电体(121)连接的对电极(130)；与第二n型半导体层(123)以及对电极(130)接触的电解液(140)；以及用于容纳半导体电极(120)、对电极(130)以及电解液(140)的容器(110)。将真空能级作为基准，(I)第二n型半导体层(123)的传导带以及价电子带的带边能级分别比第一n型半导体层(122)的传导带以及价电子带的带边能级大，(II)第一n型半导体层(122)的费米能级比第二n型半导体层(123)的费米能级大，并且，(III)导电体(121)的费米能级比第一n型半导体层(122)的费米能级大。
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公开(公告)号：CN101910470A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200980101633.9
申请日：2009-10-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M8/0656 , C25B1/003 , H01G9/205 , H01M16/006 , H01M2008/1095 , Y02E10/542 , Y02E60/366 , Y02P20/135
Abstract: 光电化学电池(100)具备：包括导电体(121)及n型半导体层(122)的半导体电极(120)、与导电体(121)电连接的对电极(130)、与n型半导体层(122)及对电极(130)的表面接触的电解液(140)、和对半导体电极(120)、对电极(130)及电解液(140)进行收容的容器(110)，通过n型半导体层(122)被照射光而产生氢。半导体电极(120)被设定成，以真空能级为基准，(I)n型半导体层(122)的表面附近区域处的传导带及价电子带的带边沿能级，分别具有n型半导体层(122)的与导电体(121)的接合面附近区域处的传导带及价电子带的带边沿能级以上的大小；(II)n型半导体层(122)的接合面附近区域的费米能级，比n型半导体层(122)的表面附近区域的费米能级大；且(III)导电体(121)的费米能级比n型半导体层(122)中的接合面附近区域的费米能级大。
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公开(公告)号：CN102933487B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201180028115.6
申请日：2011-08-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C25B11/0442 , B01J35/004 , C01B3/042 , C25B1/003 , C25B9/08 , C25B11/03 , Y02E60/364 , Y02E60/368
Abstract: 本发明的氢生成设备具备：第1电极(120)，其包括导电性基板(101)以及光触媒性半导体层(102)；第2电极(103)，其与第1电极(120)电连接，并且在将第1电极(120)的担持有光触媒性半导体层(102)的面侧的区域设为第1区域(122)、将与第1区域(122)相反一侧的区域设为第2区域(123)的情况下，该第2电极相对于第1电极(120)而被配置在第2区域(123)；电解液(106)，其包含水；和框体(105)，其保持这些第1电极、第2电极及电解液。在第1电极(120)以及第2电极(103)的相对应的位置处设置贯通孔(131，132)，该贯通孔构成对第1区域(122)和第2区域(123)进行连通的连通孔(130)。在连通孔(130)中，按照堵塞连通孔(130)的方式配置与连通孔(130)实质上为相同形状的离子交换膜(104)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103889571A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280043179.8
申请日：2012-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B01J27/24 , B01J19/127 , B01J35/004 , B01J37/347 , C01B3/042 , C25B1/003 , C25B1/04 , C25B9/00 , C25B9/06 , Y02E60/364 , Y02E60/366
Abstract: 本发明提供一种半导体材料，其是如下的半导体材料，即，在含有选自第4族元素及第5族元素中的至少任意一种元素的氮氧化物中，将选自氧及氮中的至少任意一种的一部分用碳置换。作为第5族元素，优选为Nb。
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公开(公告)号：CN103534202A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280007502.6
申请日：2012-11-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B01J27/24 , B01J19/123 , B01J23/20 , B01J23/6484 , B01J35/002 , B01J35/004 , B01J37/086 , C01B3/042 , C01B21/0617 , C01P2002/85 , C01P2002/88 , C04B35/58007 , C04B35/62805 , C04B35/62886 , C04B35/6325 , C04B2235/3251 , C04B2235/3886 , C04B2235/465 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , C25B1/003 , H01M8/04216 , H01M8/0656 , Y02E60/364
Abstract: 本发明是具有由组成式Nb3N5表示的组成且构成元素Nb的价数实质上为+5价的铌氮化物。本发明的铌氮化物的制造方法包括使有机铌化合物与氮化合物气体反应而对所述有机铌化合物进行氮化的氮化工序。
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公开(公告)号：CN102484303A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201180003543.3
申请日：2011-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C25B1/003 , B01J35/004 , C25B11/0442 , H01M8/0656 , Y02E60/366 , Y02E60/368 , Y02P20/135
Abstract: 本发明提供一种光电化学元件和使用该元件的能量系统，光电化学元件(100)具备：半导体电极(120)，其包括导电体(121)及在导电体(121)上配置的半导体层(122、123)；对电极(130)，其与导电体(121)电连接；电解液(140)，其与半导体层(123)及对电极(130)的表面接触；和容器(110)，其容纳半导体电极(120)、对电极(130)及电解液(140)。以真空能级为基准，半导体层的表面附近区域内的传导带的带边能级ECS、价电子带的带边能级EVS及费米能级EFS、和半导体层的与导电体的接合面附近区域内的传导带的带边能级ECJ、价电子带的带边能级EVJ及费米能级EFJ满足ECS-EFS＞ECJ-EFJ、EFS-EVS＜EFJ-EVJ、ECJ＞-4.44eV、以及EVS＜-5.67eV。半导体层的表面附近区域内的费米能级EFS及半导体层的与导电体的接合面附近区域内的费米能级EFJ分别以真空能级为基准，满足-5.67eV＜EFS＜-4.44eV、-5.67eV＜EFJ＜-4.44eV。
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公开(公告)号：CN102099508A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201080002101.2
申请日：2010-06-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C25B1/003 , C01B3/042 , H01M14/005 , Y02E60/364 , Y02E60/368 , Y02P20/135
Abstract: 一种光电化学器件(1)，是利用光的照射来分解水而使氢发生的光电化学器件，其具有：导电基板；第一电极(光半导体电极(3))，其配置在导电基板的第一主面上，且含有光半导体；第二电极(反电极(4))，其配置在导电基板的所述第一主面上的、且未配置所述第一电极的区域；电解液，其与所述第一电极的表面和所述第二电极的表面接触，且含有水；隔壁(5)，其将所述第二电极的表面的上部区域从所述第一电极的表面的上部区域分离，且按照沿着在所述第二电极的表面发生的气体的移动方向延长的方式设置，并由使离子透过且抑制气体的透过的材料形成；容器(2)，其收容所述导电基板、所述第一电极、所述第二电极、所述电解液和所述隔壁。
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公开(公告)号：CN102123792B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201080002312.6
申请日：2010-04-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B01J35/004 , B01J23/002 , B01J23/08 , B01J23/10 , B01J23/62 , B01J2523/00 , C01B3/042 , C01B13/0207 , C01G25/006 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/84 , C01P2004/34 , C01P2006/40 , C25B1/003 , Y02E60/364 , B01J2523/25 , B01J2523/32 , B01J2523/48 , B01J2523/375 , B01J2523/33
Abstract: 本发明的光激发半导体，是钙钛矿型氧化物的半导体，具有由通式：BaZr1-xMxO3-α(式中，M为从3价元素中选出的至少一种元素，x是比0大、低于0.8的数值，α是氧欠缺量且是比0大、低于1.5的数值。)表示的组成，晶系为立方晶、正方晶或斜方晶，所述晶系的晶格常数设为a、b、c(其中a≤b≤c)时，满足0.41727nm≤a、b、c≤0.42716nm，a/c≥0.98的条件。
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