-
公开(公告)号：CN103298740A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201180063022.7
申请日：2011-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: C01B37/00
CPC classification number: C08K9/10 , C01B37/00 , C08K3/36 , H01L51/5275 , Y10T428/2993
Abstract: 本发明的目的是提供具有功能如低折射率(低n)、低介电常数(低k)和低热导率且也可以赋予模制制品更高的强度的中孔二氧化硅粒子。该中孔二氧化硅粒子各自包含核粒子，所示核粒子包含第一中孔，其中所述核粒子的外周被二氧化硅覆盖。优选地，在通过二氧化硅覆盖形成的所述二氧化硅覆盖的部分中设置小于所述第一中孔的第二中孔。所述的中孔二氧化硅粒子通过以下方式制备：将表面活性剂、水、碱、含有疏水性部分的添加剂和二氧化硅源混合从而制备表面活性剂复合二氧化硅粒子的表面活性剂复合二氧化硅粒子制备步骤，所述含有疏水性部分的添加剂包括用于增加要通过所述表面活性剂形成的胶束的体积的疏水性部分；和将所述二氧化硅源加入至所述表面活性剂复合二氧化硅粒子从而用二氧化硅覆盖每个核粒子的外周的二氧化硅覆盖步骤。可以抑制基体材料至所述中孔中的穿透。
-
公开(公告)号：CN103298740B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201180063022.7
申请日：2011-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: C01B37/00
CPC classification number: C08K9/10 , C01B37/00 , C08K3/36 , H01L51/5275 , Y10T428/2993
Abstract: 本发明的目的是提供具有功能如低折射率(低n)、低介电常数(低k)和低热导率且也可以赋予模制制品更高的强度的中孔二氧化硅粒子。该中孔二氧化硅粒子各自包含核粒子，所示核粒子包含第一中孔，其中所述核粒子的外周被二氧化硅覆盖。优选地，在通过二氧化硅覆盖形成的所述二氧化硅覆盖的部分中设置小于所述第一中孔的第二中孔。所述的中孔二氧化硅粒子通过以下方式制备：将表面活性剂、水、碱、含有疏水性部分的添加剂和二氧化硅源混合从而制备表面活性剂复合二氧化硅粒子的表面活性剂复合二氧化硅粒子制备步骤，所述含有疏水性部分的添加剂包括用于增加要通过所述表面活性剂形成的胶束的体积的疏水性部分；和将所述二氧化硅源加入至所述表面活性剂复合二氧化硅粒子从而用二氧化硅覆盖每个核粒子的外周的二氧化硅覆盖步骤。可以抑制基体材料至所述中孔中的穿透。
-
公开(公告)号：CN103781726A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201380001968.X
申请日：2013-07-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/5203 , C01B33/18 , H01L51/5268
Abstract: 本发明的介孔二氧化硅微粒，具备具有第一介孔的粒子内部、和被覆上述粒子内部的粒子外周部。上述粒子外周部，含有包含有机二氧化硅的有机二氧化硅被覆部。上述有机二氧化硅，包含二氧化硅骨架内的两个Si之间被有机基团交联的交联型有机二氧化硅。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.023 seconds)
