公开(公告)号：CN1449048A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN03107528.2

申请日：2003-03-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 茶谷茂雄 ,  松浦正则

IPC: H01L27/105 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C16/32 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14

Abstract: 本发明提供能够防止在隧道氧化膜上施加峰值电场，防止重写次数减少或数据保持特性降低的半导体存储器及向半导体存储元件施加电压的方法。本发明的半导体存储器具备：存储单元(10)和控制字线选择驱动电路(205)、阱驱动电路(207)和源线选择驱动电路(206)、当在存储单元(10)中的浮动栅(101)上注入电子时输出脉冲信号(S1)的脉冲发生电路(301)、延迟电路(302)、延迟电路(303)和延迟电路(304)。而且，控制字线选择驱动电路(205)接受来自延迟电路(302)的延迟信号(S2)使控制字线的电位变化，阱驱动电路(207)接受来自延迟电路(303)的延迟信号(S3)使阱的电位变化，源线选择驱动电路(206)接受来自延迟电路(304)的延迟信号(S4)使源线的电位变化。

公开(公告)号：CN1234171C

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN03107528.2

申请日：2003-03-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 茶谷茂雄 ,  松浦正则

IPC: H01L27/105 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C16/32 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14

Abstract: 本发明提供能够防止在隧道氧化膜上施加峰值电场，防止重写次数减少或数据保持特性降低的半导体存储器及向半导体存储元件施加电压的方法。本发明的半导体存储器具备：存储单元(10)和控制字线选择驱动电路(205)、阱驱动电路(207)和源线选择驱动电路(206)、当在存储单元(10)中的浮动栅(101)上注入电子时输出脉冲信号(S1)的脉冲发生电路(301)、延迟电路(302)、延迟电路(303)和延迟电路(304)。而且，控制字线选择驱动电路(205)接受来自延迟电路(302)的延迟信号(S2)使控制字线的电位变化，阱驱动电路(207)接受来自延迟电路(303)的延迟信号(S3)使阱的电位变化，源线选择驱动电路(206)接受来自延迟电路(304)的延迟信号(S4)使源线的电位变化。