公开(公告)号：CN1465079A

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：CN02802197.5

申请日：2002-06-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤井達雄 ,  三木勝政 ,  中野慎 ,  木村涼 ,  御堂勇治

IPC: H01G9/04 ,  H01G9/012 ,  H01G9/00

CPC classification number: H01G9/15 ,  Y10T29/417 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/49165

Abstract: 提供一种能直接连接半导体部件、高频特性优良的、大容量的固体电解电容器。将铝箔3的一面上加工成多孔，多孔部上形成电介质层2，铝箔3的规定位置处形成通孔4，铝箔3的未成多孔的另一面和通孔4的内壁形成绝缘膜5，电介质层2之上敷设固体内壁形成绝缘膜5，电介质层2之上敷设固体电解质层6，接着，通孔4内形成通孔电极7后，固体电解质层6上敷设集电体层8，此后，铝箔3的绝缘膜的规定位置上形成开口部9，该绝缘膜5的开口部9及通孔电极7的露出表面上形成连接端子10。

公开(公告)号：CN100339918C

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN02802420.6

申请日：2002-07-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三木勝政 ,  御堂勇治 ,  藤井達雄 ,  中野慎 ,  木村涼

IPC: H01G9/15 ,  H01G9/045 ,  H01G9/012

CPC classification number: H01G9/15 ,  H01G9/012 ,  Y10T29/417

Abstract: 本发明提供高频特性优异、能够直接安装半导体元器件的固体电解电容器的制造方法。在铝箔20的单面形成抗蚀剂膜23之后，形成第一通孔24，然后在形成绝缘膜25将铝箔20的另一面及第一通孔内覆盖之后，除去抗蚀剂膜23，将铝箔20粗化之后形成电介质层27，在填入第一通孔24的绝缘膜25的内部形成第二通孔36，在该第二通孔内形成通孔电极28之后，在上述电介质层27的表面形成固体电解质层29，再形成集电体层30，然后在形成开口部分37之后，在该部分形成第一连接端31，在通孔电极28的露出面形成第二连接端32。