公开(公告)号：CN1595531A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410073784.7

申请日：2004-09-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤本知则 ,  大田清人 ,  菊川博仁

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/409

CPC classification number: G11C11/406 ,  G11C7/12 ,  G11C11/4094 ,  G11C2207/002 ,  G11C2207/005

Abstract: 根据本发明，在需要用于存储数据的刷新操作的半导体器件中，在页模式读操作中，将响应行地址所选择的存储单元的数据通过位线对，读出放大器和数据线对读出到主放大器。之后，在将保持在主放大器中的数据输出到外面的同时，连接晶体管关断使得主放大器从存储单元断开，从而，能够对存储单元预充电。同样，在页模式写操作中，在将外部提供的输入数据写入主放大器的同时，能够对存储单元预充电。

公开(公告)号：CN1627444A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410098553.1

申请日：2004-12-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大塚英文 ,  大田清人 ,  藤本知则

IPC: G11C11/4074 ,  G11C11/4093

CPC classification number: G11C8/08 ,  G11C11/4074

Abstract: 为了降低电源电路的电路规模和电源电路在半导体衬底上方占用的面积，为存储电路的各个部分提供电源电压的电源电路包括字驱动器电源(第一电源电路)、读出放大器电源(第二电源电路)、位线预充电电源、单元板电源、衬底偏置电源和字线偏置电源。字驱动器电源为字驱动器提供通过直接升高外部电源电压产生的电压，而其它电源(例如，读出放大器电源)为读出放大器等提供通过降低外部电源电压产生的电压。

公开(公告)号：CN1574081A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410047616.0

申请日：2004-05-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤本知则 ,  大田清人 ,  菊川博仁

IPC: G11C11/402

CPC classification number: G11C11/40615 ,  G11C11/406 ,  G11C2211/4061

Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置和半导体集成电路装置，半导体存储装置的行控制电路(100)包含：振荡器(110)，其作为时钟振荡器产生内部时钟；D触发器(181)，其作为刷新请求信号生成电路，与内部时钟同步产生刷新请求信号(RFRQ)。作为刷新控制电路，包括：延迟电路(182)、与非门(184)、与门(182)、D触发器(185)、延迟电路(188)、与门(189)以及或门(190)。通过利用刷新请求信号(RFRQ)以及有效信号(ACT)，与外部刷新指令切离，在DRAM内部进行内部刷新。这样，可以充分确保刷新功能，同时可以实现简化存储器控制的目的。

公开(公告)号：CN101359501A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200810212447.X

申请日：2004-09-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤本知则 ,  大田清人 ,  菊川博仁

IPC: G11C11/409 ,  G11C11/4091

CPC classification number: G11C11/406 ,  G11C7/12 ,  G11C11/4094 ,  G11C2207/002 ,  G11C2207/005

Abstract: 根据本发明，在需要用于存储数据的刷新操作的半导体器件中，在页模式读操作中，将响应行地址所选择的存储单元的数据通过位线对，读出放大器和数据线对读出到主放大器。之后，在将保持在主放大器中的数据输出到外面的同时，连接晶体管关断使得主放大器从存储单元断开，从而，能够对存储单元预充电。同样，在页模式写操作中，在将外部提供的输入数据写入主放大器的同时，能够对存储单元预充电。

公开(公告)号：CN100428360C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200410073784.7

申请日：2004-09-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤本知则 ,  大田清人 ,  菊川博仁

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/409

CPC classification number: G11C11/406 ,  G11C7/12 ,  G11C11/4094 ,  G11C2207/002 ,  G11C2207/005

Abstract: 根据本发明，在需要用于存储数据的刷新操作的半导体器件中，在页模式读操作中，将响应行地址所选择的存储单元的数据通过位线对，读出放大器和数据线对读出到主放大器。之后，在将保持在主放大器中的数据输出到外面的同时，连接晶体管关断使得主放大器从存储单元断开，从而，能够对存储单元预充电。同样，在页模式写操作中，在将外部提供的输入数据写入主放大器的同时，能够对存储单元预充电。