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公开(公告)号：CN1347582A
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：CN00806277.3
申请日：2000-03-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 高山彻 , 马场孝明 , 詹姆斯E·哈里斯,Jr
CPC classification number: H01L33/32 , H01L31/1035 , H01S5/32341
Abstract: 本发明披露了一种供半导体结构用的第III族氮化物四元材料体系,包括:激光二极管,晶体管,和光检测器,所述结构减少或消除相分离并提供增加的发射效率和可靠性。在举例性实施方案中,半导体结构包括:在基本没有相分离下形成的第一导电型的第一GaAlNAs层,基本没有相分离的GaAlNAs活性层,和基本没有相分离下形成的相反导电型的第三GaAlNAs层。
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