公开(公告)号：CN1347581A

公开(公告)日：2002-05-01

申请号：CN00805556.4

申请日：2000-03-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高山彻 ,  马场考明 ,  詹姆斯S·哈里斯Jr.

IPC: H01S5/34 ,  H01L29/15 ,  H01L31/0352 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/1105 ,  H01L33/06 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构,该结构包括:包含许多组成层对的应变补偿的超晶格层,其中第一组成层包含处于张应力下的材料,而第二组成层包含处于压应力下的材料,以致使,相邻层的应力互相补偿,并使缺陷的产生减少。对材料适当的选择提供了增加的带隙和在至少某些装置中的光学限制。所述结构特别适合于激光二极管、光电二极管、光电晶体管、和异质结场效应晶体管和双极晶体管。