公开(公告)号：CN1877838A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610093567.3

申请日：2006-06-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 按田义治 ,  田村彰良 ,  谷内宽直

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/7605 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/8605

Abstract: 本发明的目的在于提供半导体器件，包括用InGaP层作为在表面露出的半导体层的半导体电阻元件，能够提高元件隔离耐压。本发明的半导体器件具有：FET(21)，其包括沟道层(3)、以及形成在沟道层(3)上且由非掺杂的InGaP构成的肖特基层(7)；以及半导体电阻元件(22)，其包括利用元件隔离区(12)来与FET(21)隔离的肖特基层(7)和沟道层(3)的一部分，FET(21)和半导体电阻元件(22)形成在同一衬底上，在元件隔离(12)内肖特基层(7)被去除。

公开(公告)号：CN1750262A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510092158.7

申请日：2005-08-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 宫地正之 ,  长田贞雄 ,  谷内宽直 ,  太田顺道 ,  岩切隆浩 ,  酒谷知孝

IPC: H01L25/07 ,  H03F3/20

CPC classification number: H01L23/36 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L2223/665 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3011 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/284 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种功率放大器模块。半导体装置包括：由输入引线端子(3)、输出引线端子(4)及高频接地引线端子(25)构成的多个外部连接引线端子(2)，连接在高频接地引线端子(25)上的散热板(5)，安装在散热板(5)上的半导体元件(1a)、半导体元件(1b)及电路基板(7)，以及密封半导体元件(1a)、半导体元件(1b)及电路基板(7)，密封散热板(5)而使该散热板(5)的背面至少有一部分露出的模制树脂(32)；放大输入到输入引线端子(3)的信号，再从输出引线端子(4)输出。因此，能提供特性稳定、小型而且能使制造成本下降的功率放大器模块。