公开(公告)号：CN101038934A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710101226.0

申请日：2004-06-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 筒井将史 ,  海本博之 ,  赤松香

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/7843 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/092

Abstract: 一种具有MISFET的半导体器件，MISFET具备：有源区，其由半导体衬底构成；栅绝缘膜，其形成在上述有源区之上；栅电极，其形成在上述栅绝缘膜之上；源·漏区，其形成在位于上述半导体衬底中上述栅电极的两侧方的区域中；以及内部应力膜，其形成在上述源·漏区之上，在位于上述有源区中上述栅电极下方的沟道区中的栅长方向上产生应力，上述内部应力膜，未形成在上述栅电极的上面上。可提高电子或空穴的迁移率。

公开(公告)号：CN1574399A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410059271.0

申请日：2004-06-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 筒井将史 ,  海本博之 ,  赤松香

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/7843 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明涉及具备高速工作的MISFET的半导体器件及其制造方法。半导体器件具备由在nMISFET的源·漏区(3a、4a)上形成的氮化硅膜构成的第1种内部应力膜(8a)和由在pMISFET的源·漏区(3b、4b)上形成的TEOS膜构成的第2种内部应力膜(8b)。利用第1种内部应力膜(8a)在nMISFET的沟道区中在电子的移动方向上产生拉伸应力，以提高电子的迁移率。利用第2种内部应力膜(8b)在pMISFET的沟道区中在空穴的移动方向上产生压缩应力，以提高空穴的迁移率。

公开(公告)号：CN102640318A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201080026066.8

申请日：2010-11-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 磯部孝 ,  三岛孝介 ,  赤松香 ,  大内晓

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/5056 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/562

Abstract: 本发明提供一种有机发光元件的制造方法、有机发光元件、发光装置、显示面板以及显示装置。在该有机发光元件的制造方法中，首先，在基板(101)的上方形成反射阳极(105)和空穴注入层(107)。然后，在空穴注入层(107)上涂敷堤材料，形成堤材料层(1080)，通过使其形成图案而形成堤准备层(1081)，并且使用残留于开口底的堤残渣层(1090)形成堤树脂层。然后，形成空穴输送层以使得其与堤树脂层接触，在其上依次层叠形成发光层、电子输送层以及透明阴极。然后，对这样形成的元件构造体进行通电处理，降低来自空穴注入层(107)的空穴注入性。

公开(公告)号：CN100499168C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200710101226.0

申请日：2004-06-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 筒井将史 ,  海本博之 ,  赤松香

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/7843 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/092

Abstract: 一种具有MISFET的半导体器件，MISFET具备：有源区，其由半导体衬底构成；栅绝缘膜，其形成在上述有源区之上；栅电极，其形成在上述栅绝缘膜之上；源·漏区，其形成在位于上述半导体衬底中上述栅电极的两侧方的区域中；以及内部应力膜，其形成在上述源·漏区之上，在位于上述有源区中上述栅电极下方的沟道区中的栅长方向上产生应力，上述内部应力膜，未形成在上述栅电极的上面上。可提高电子或空穴的迁移率。

公开(公告)号：CN1317772C

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200410059271.0

申请日：2004-06-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 筒井将史 ,  海本博之 ,  赤松香

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/7843 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明涉及具备高速工作的MISFET的半导体器件及其制造方法。半导体器件具备由在nMISFET的源·漏区(3a、4a)上形成的氮化硅膜构成的第1种内部应力膜(8a)和由在pMISFET的源·漏区(3b、4b)上形成的TEOS膜构成的第2种内部应力膜(8b)。利用第1种内部应力膜(8a)在nMISFET的沟道区中在电子的移动方向上产生拉伸应力，以提高电子的迁移率。利用第2种内部应力膜(8b)在pMISFET的沟道区中在空穴的移动方向上产生压缩应力，以提高空穴的迁移率。