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公开(公告)号：CN1447438A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03107392.1
申请日：2003-03-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/108 , G11C11/407
CPC classification number: G11C11/405 , H01L27/108
Abstract: 本发明涉及一种半导体存储装置，能够在用MIS晶体管作为积累电荷的装置的半导体存储装置中，提高数据的写入工作和读出工作的速度。DRAM单元10是为了由在第1晶体管11的沟道中积累电荷，由第2晶体管12和第3晶体管13传送电荷而构成的，通过交互地使用用与第2晶体管12的栅极连接的第1字线WLa和与第2晶体管12的漏极连接的第1位线BLa的路径、和用与第2晶体管12的栅极连接的第1字线WLa和与第2晶体管12的漏极连接的第1位线BLa的路径这样2条路径，可以使数据传输速度高速化。
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公开(公告)号：CN1447432A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03107066.3
申请日：2003-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/108 , G11C11/401
CPC classification number: G11C8/18 , G11C11/405 , G11C11/406 , G11C11/4085
Abstract: 一种半导体存储器，其中，刷新字线选择电路(15)与计数器(16)连接，该计数器(16)与外部时钟信号(CLK)同步地生成并输出刷新时钟信号(RCLK)。因而，刷新字线选择电路(15)与来自计数器(16)的刷新时钟信号(RCLK)同步地一边以自身控制的方式选择多条刷新字线(RWL)，一边周期性地激活该多条刷新字线(RWL)。从而可以省去由DRAM电路部的外部提供针对DRAM单元的刷新工作。
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公开(公告)号：CN1218396C
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN03107392.1
申请日：2003-03-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/108 , G11C11/407
CPC classification number: G11C11/405 , H01L27/108
Abstract: 本发明涉及一种半导体存储装置，能够在用MIS晶体管作为积累电荷的装置的半导体存储装置中，提高数据的写入工作和读出工作的速度。DRAM单元(10)是为了由在第1晶体管(11)的沟道中积累电荷，由第2晶体管(12)和第3晶体管(13)传送电荷而构成的，通过交互地使用用与第2晶体管(12)的栅极连接的第1字线(Wla)和与第2晶体管(12)的漏极连接的第1位线(Bla)的路径、和用与第2晶体管(12)的栅极连接的第1字线(Wla)和与第2晶体管(12)的漏极连接的第1位线(Bla)的路径这样2条路径，可以使数据传输速度高速化。
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公开(公告)号：CN1252822C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN03107066.3
申请日：2003-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/108 , G11C11/401
CPC classification number: G11C8/18 , G11C11/405 , G11C11/406 , G11C11/4085
Abstract: 一种半导体存储器，其中，刷新字线选择电路(15)与计数器(16)连接，该计数器(16)与外部时钟信号(CLK)同步地生成并输出刷新时钟信号(RCLK)。因而，刷新字线选择电路(15)与来自计数器(16)的刷新时钟信号(RCLK)同步地一边以自身控制的方式选择多条刷新字线(RWL)，一边周期性地激活该多条刷新字线(RWL)。从而可以省去由DRAM电路部的外部提供针对DRAM单元的刷新工作。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN3140529D
公开(公告)日：2000-03-01
申请号：CN99303645.7
申请日：1999-03-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 显示透明部的立体图中的阴影线部分为透明部分。
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