公开(公告)号：CN102203871A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200980100210.5

申请日：2009-09-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 县泰宏 ,  鸣海典将 ,  山上由展 ,  增尾昭

IPC: G11C11/413 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/04 ,  H01L27/10 ,  H01L27/11

CPC classification number: G11C11/413 ,  G11C5/147 ,  H01L23/5286 ,  H01L27/11 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路，其是具有逻辑电路(104)和多个SRAM宏(103)的系统LSI(100)，该系统LSI(100)包括：接受从系统LSI(100)的外部提供的电压VDDP，并生成比该电压VDDP还低的稳定化电压VDDM的电源电路(102)。向多个各SRAM宏(103)的SRAM存储单元(103a)提供由电源电路(102)生成的电压VDDM，并且，向各SRAM宏(103)的SRAM逻辑电路(103b)提供从外部提供的电压VDD。另外，从外部向逻辑电路(104)提供电压VDD。

公开(公告)号：CN102203871B

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN200980100210.5

申请日：2009-09-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 县泰宏 ,  鸣海典将 ,  山上由展 ,  增尾昭

IPC: G11C11/413 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/04 ,  H01L27/10 ,  H01L27/11

CPC classification number: G11C11/413 ,  G11C5/147 ,  H01L23/5286 ,  H01L27/11 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路，其是具有逻辑电路(104)和多个SRAM宏(103)的系统LSI(100)，该系统LSI(100)包括：接受从系统LSI(100)的外部提供的电压VDDP，并生成比该电压VDDP还低的稳定化电压VDDM的电源电路(102)。向多个各SRAM宏(103)的SRAM存储单元(103a)提供由电源电路(102)生成的电压VDDM，并且，向各SRAM宏(103)的SRAM逻辑电路(103b)提供从外部提供的电压VDD。另外，从外部向逻辑电路(104)提供电压VDD。