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公开(公告)号：CN102754212A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201180001792.9
申请日：2011-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78636 , H01L29/41733 , H01L29/66757 , H01L29/78666 , H01L29/78675 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种可得到充分的载流子迁移率的薄膜晶体管装置及其制造方法。将源电极(110)或漏电极(120)与硅层(130)及(140)层叠而成的膜厚是与将第1沟道层(150)和第2沟道层(160)层叠而成的膜厚相同的相同值或相同值的邻域值的范围内的膜厚，将第1沟道层(150)和第2沟道层(160)层叠而成的膜厚在源电极(110)及漏电极(120)之间的区域、以及源电极(110)及漏电极(120)的上方是相同膜厚，第1沟道层(150)和第2沟道层(160)沿着源电极(110)及漏电极(120)之间的形状在源电极(110)及漏电极(120)之间的区域凹陷，栅电极(180)具有与源电极(110)及漏电极(120)重叠的区域。
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公开(公告)号：CN102473606A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201180002849.7
申请日：2011-06-27
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02675 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L27/1285
Abstract: 本发明提供一种结晶性半导体膜的制造方法以及结晶性半导体膜的制造装置。结晶性半导体膜的制造方法包括：第1工序，在基板的上方形成金属层；第2工序，对金属层进行图案形成，在多个像素(20)的各像素内形成栅电极；第3工序，在多个栅电极上形成栅极绝缘膜；第4工序，在栅极绝缘膜上形成非晶质半导体膜；以及第5工序，照射激光而使非晶质半导体膜结晶化，激光的激光照射宽度与像素(20)的宽度的n倍对应，n为2以上的整数，激光的激光照射宽度的一端部的激光能量强度比另一端部的激光能量强度高，在第5工序中，激光的激光能量强度构成为，激光照射宽度的一端部的激光能量强度和另一端部的激光能量强度按每n个像素而反转。
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公开(公告)号：CN101689608A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880021455.4
申请日：2008-06-13
Applicant: 剑桥显示技术有限公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L51/10
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0005 , H01L51/105
Abstract: 一种制造有机薄膜晶体管的方法，该方法包括：沉积源极(2)和漏极(4)电极；在该源电极和漏电极上形成薄的自组装材料层(14)，该薄的自组装材料层包括掺杂剂部分和单独的附着部分，该掺杂剂部分用于通过接受或贡献电荷来对有机半导电材料进行化学掺杂，该附着部分键合到掺杂剂部分并选择性地键合到源电极和漏电极；以及在该源电极和漏电极之间的沟道区中沉积包括溶剂和有机半导电材料(8)的溶液。
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公开(公告)号：CN101983439B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200880010563.1
申请日：2008-04-03
Applicant: 剑桥显示技术有限公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L51/05
Abstract: 一种有机薄膜晶体管，其包括：衬底；限定沟道的源极电极和漏极电极；布置在源极电极和漏极电极之上的绝缘材料层；延伸穿过沟道的有机半导电材料层；电介质材料层；以及布置在电介质材料层之上的栅极电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101689608B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200880021455.4
申请日：2008-06-13
Applicant: 剑桥显示技术有限公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L51/10
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0005 , H01L51/105
Abstract: 一种制造有机薄膜晶体管的方法，该方法包括：沉积源极(2)和漏极(4)电极；在该源电极和漏电极上形成薄的自组装材料层(14)，该薄的自组装材料层包括掺杂剂部分和单独的附着部分，该掺杂剂部分用于通过接受或贡献电荷来对有机半导电材料进行化学掺杂，该附着部分键合到掺杂剂部分并选择性地键合到源电极和漏电极；以及在该源电极和漏电极之间的沟道区中沉积包括溶剂和有机半导电材料(8)的溶液。
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公开(公告)号：CN101983439A
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200880010563.1
申请日：2008-04-03
Applicant: 剑桥显示技术有限公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L51/05
Abstract: 一种有机薄膜晶体管，其包括：衬底；限定沟道的源极电极和漏极电极；布置在源极电极和漏极电极之上的绝缘材料层；延伸穿过沟道的有机半导电材料层；电介质材料层；以及布置在电介质材料层之上的栅极电极。
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公开(公告)号：CN1392964A
公开(公告)日：2003-01-22
申请号：CN01802882.9
申请日：2001-09-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/133753 , G02F1/133555 , G02F1/1395 , G02F1/1396 , G02F2001/133757 , G02F2001/133761
Abstract: 本发明的课题是提供能高精度地控制液晶分子的取向、并在透射显示模式和反射显示模式两方皆能有高亮度显示的、显示品质优越的半透射型液晶显示器件。本发明是在具有一对基板、夹持在基板间的液晶层、在一块基板的面向液晶层的表面上配置的像素电极、在另一基板的面向液晶层的表面上配置的对置电极、覆盖基板的面向液晶层的表面的取向膜的半透射型液晶显示面板中，作为像素电极的反射显示用电极和透射显示用电极，以到另一基板的距离互不相同的方式配置，使反射显示用电极上的区域(反射显示区)中的面向反射显示电极的液晶层表面的液晶分子，与平行于基板主面的、它们所在的面内的透射显示用电极上的区域(透射显示区)中的液晶分子在相同方向取向。
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公开(公告)号：CN1024724C
公开(公告)日：1994-05-25
申请号：CN86102435
申请日：1986-04-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G09G3/20
CPC classification number: G09G3/3677 , G09G3/3648 , G09G3/3659 , G09G3/3688 , G09G2310/0297 , G09G2330/08
Abstract: 本发明是一种显示装置，在这种装置中把传输显示信号的第一组总线(A1-C2)和传输扫描信号的第二组总线(V1-Vm)配置成矩阵，在这两组总线的交点上设置显示单元，在第一组或第二组总线的各总线间设置自由通断的开关元件(20-31)，当任一总线断路时，使开关元件导通，从其它总线向断路的总线提供信号。
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公开(公告)号：CN86102435A
公开(公告)日：1986-10-15
申请号：CN86102435
申请日：1986-04-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G09G3/20
CPC classification number: G09G3/3677 , G09G3/3648 , G09G3/3659 , G09G3/3688 , G09G2310/0297 , G09G2330/08
Abstract: 本发明是一种显示装置，在这种装置中把传输显示信号的第一组总线(A1-C2)和传输扫描信号的第二组总线(V1-Vm)配置成矩阵，在这两组总线的交点上设置显示单元，在第一组或第二组总线的各总线间设置自由通断的开关元件(20-31)，当任一总线断路时，使开关元件导通，从其它总线向断路的总线提供信号。
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