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公开(公告)号：CN100469206C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN03826873.6
申请日：2003-08-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/5203 , H01L27/3244 , H01L51/5012 , Y10S428/917
Abstract: 一种有机发光元件，其包括：衬底；在上述衬底上形成的、至少与上述衬底相反侧的面为多维折曲面形状的第1电极；沿着上述第1电极的呈多维折曲面形状的面形成的、上述第1电极侧的面和与上述第1电极相反侧的面这两面为多维折曲面形状的含有有机发光物质的有机发光层；和在上述有机发光层上形成的第2电极。另外，作为EL型显示装置的独立地控制发光的象素，使用上述本发明的有机发光元件。另外，作为EL型照明装置的光源，使用上述本发明的有机发光元件。据此提供发光亮度高的有机发光元件及寿命长的有机发光元件、以及使用了这些有机发光元件的EL型显示装置及EL型照明装置。
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公开(公告)号：CN1281156A
公开(公告)日：2001-01-24
申请号：CN00120289.8
申请日：2000-07-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133553 , G02F1/136227 , G02F2001/136236
Abstract: 提供对比度特性和纸白性优良的反射片及其制造方法、以及具备该反射片的反射式显示器件及其制造方法。该反射片具备设置有多个该凹凸构造体的基板和在上述凹凸构造体上设置的光反射性薄膜。该器件是在一对基板间设有液晶层的反射式显示器件,在上述一对基板中的一个基板上,把被金属膜覆盖的凹凸和支持上述对置基板的支持部分一体地成型。
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公开(公告)号：CN100367498C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN02106856.9
申请日：2002-03-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L25/04
CPC classification number: H01L51/5287 , H01L25/046 , H01L51/5012 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光器件，将多个具有一对电极和配置在前述电极间的发光层的发光元件配设在基材上，其特征为前述发光元件的发光面位于相对于前述基材的立起方向上，通过前述发光元件形成为带状、矩形状、圆筒状、柱状或多孔状，可以飞跃地增大发光元件的表面积，降低每单位面积的电流量，即使在高亮度用途，也能提供长寿命的光源。
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公开(公告)号：CN1170174C
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN01800960.3
申请日：2001-04-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G02B5/08 , G02B5/02 , G02F1/1335 , G09F13/04
CPC classification number: G02F1/133553 , G02B5/08 , G02B5/10
Abstract: 本发明提供一种在表面上具有凹凸状的反射板(101)，在表面上具有凹凸形状的反射板(101)上，至少上述凹凸形状的凹部(4)的一部分按照一定的规则配置，在任意的直线状截面上的该凹凸形状是无规则的。
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公开(公告)号：CN1382263A
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN00814611.X
申请日：2000-10-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G02B5/04 , G02B5/02 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B5/10
Abstract: 在凹凸表面上形成了反射膜的反射板中,上述凹凸具有顶点,而且,由向上凸或向下凸所形成的曲面、和由以该曲面的拐点为边界包围上述曲面的谷或脊构成的周边部来构成,同时,在上述曲面向上凸的情况下、上述拐点离开上述顶点与上述谷的中央而偏向上述谷一侧,另一方面,在上述曲面向下凸的情况下、上述拐点离开上述顶点与上述谷的中央而偏向上述脊一侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103038869A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201180037480.3
申请日：2011-04-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/205 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/205 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L29/402 , H01L29/66462 , H01L29/7786
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管。第一半导体层(103)至少在栅电极(106)中的漏电极(107)侧的端部的下侧的区域内具有碳浓度低于1×1017cm-3的低碳浓度区域，在将从基板(101)的上表面到包括第一半导体层(103)以及第二半导体层(104)在内的漏电极为止的半导体层的厚度设为d1(μm)、将低碳浓度区域的厚度设为d2(μm)、将工作耐压设为Vm(V)时，满足Vm/(110·d1)≤d2＜Vm/(110·d1)+0.5的关系，且在将缓和状态下的导通电阻设为Ron0、将从工作电压Vm下的截止状态过渡至导通状态的100μs后的导通电阻设为Ron时，作为电流崩塌值的指标的Ron与Ron0之比的值为Ron/Ron0≤3。
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公开(公告)号：CN102214701A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110042078.6
申请日：2011-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/812 , H01L29/06 , H01L29/778
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L29/2003 , H01L29/7787 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体元件，可提高在Si基板上形成的氮化物半导体元件的生产性和工作特性。氮化半导体元件具备：在硅基板(101)上隔着初始层(102)形成变形抑制层(110)、在变形抑制层上形成的工作层(120)。变形抑制层(110)具有：第1分隔层(111)、在第1分隔层上相接形成的第2分隔层(112)、在第2分隔层上相接形成的超晶格层(113)。第1分隔层的晶格常数比第2分隔层大。超晶格层中交替层叠了第1层(113A)以及晶格常数比第1层小的第2层(113B)。超晶格层的平均晶格常数比第1分隔层的晶格常数小，并且比第2分隔层的晶格常数大。
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公开(公告)号：CN1820553A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN03826873.6
申请日：2003-08-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/5203 , H01L27/3244 , H01L51/5012 , Y10S428/917
Abstract: 一种有机发光元件，其包括：衬底；在上述衬底上形成的、至少与上述衬底相反侧的面为多维折曲面形状的第1电极；沿着上述第1电极的呈多维折曲面形状的面形成的、上述第1电极侧的面和与上述第1电极相反侧的面这两面为多维折曲面形状的含有有机发光物质的有机发光层；和在上述有机发光层上形成的第2电极。另外，作为EL型显示装置的独立地控制发光的象素，使用上述本发明的有机发光元件。另外，作为EL型照明装置的光源，使用上述本发明的有机发光元件。据此提供发光亮度高的有机发光元件及寿命长的有机发光元件、以及使用了这些有机发光元件的EL型显示装置及EL型照明装置。
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公开(公告)号：CN1711493A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200380102842.8
申请日：2003-11-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G02B26/08
Abstract: 提供一种具有光源和传播从该光源发射的光的波导管的显示元件，其中从波导管侧面将在该波导管中传播的光提取到外部，且其中通过改变该波导管侧面的形状来从该波导管侧面将光提取到该波导管之外。
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公开(公告)号：CN103038869B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201180037480.3
申请日：2011-04-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/205 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/205 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L29/402 , H01L29/66462 , H01L29/7786
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管。第一半导体层(103)至少在栅电极(106)中的漏电极(107)侧的端部的下侧的区域内具有碳浓度低于1×1017cm-3的低碳浓度区域，在将从基板(101)的上表面到包括第一半导体层(103)以及第二半导体层(104)在内的漏电极为止的半导体层的厚度设为d1(μm)、将低碳浓度区域的厚度设为d2(μm)、将工作耐压设为Vm(V)时，满足Vm/(110·d1)≤d2＜Vm/(110·d1)+0.5的关系，且在将缓和状态下的导通电阻设为Ron0、将从工作耐压Vm下的截止状态过渡至导通状态的100μs后的导通电阻设为Ron时，作为电流崩塌值的指标的Ron与Ron0之比的值为Ron/Ron0≤3。
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