-
公开(公告)号：CN1282210C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN99124377.3
申请日：1999-11-16
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 本发明的场致发射型电子源10，设有n型硅衬底1、直接或通过非掺杂多晶硅层3在n型硅衬底1上形成的强电场漂移层6、以及强电场漂移层6上形成的为金薄膜的导电性薄膜7。n型硅衬底1背面设有欧姆电极2。其中，从n型硅衬底1注入强电场漂移层6的电子，在强电场漂移层6内向正面漂移，经过导电性薄膜7逸出。强电场漂移层6，通过靠阳极氧化处理使n型硅衬底1上形成的多晶硅3多孔化，再用稀硝酸等氧化形成。
-
公开(公告)号：CN1216393C
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN99801925.9
申请日：1999-08-26
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J9/022 , H01J31/127 , H01J2201/3125
Abstract: 本发明提供能够使表面电极的所希望的区域发射出电子的场发射型电子源及其制造方法，场发射型电子源10具备作为导电性基板的p型硅基板1、形成于p型硅基板1内的主表面侧的带状的作为扩散层的n型区域8、形成于n型区域8上，从n型区域注入的电子发生漂移的、氧化的多孔多晶硅构成的强电场漂移层6、形成于强电场漂移层6之间的多晶硅层3，以及在与n型区域8交叉的方向上形成带状，跨越强电场漂移层6上面及多晶硅层3上面形成的导电性薄膜构成的表面电极7。适当选择施加电压的n型区域8和表面电极7，能够使得施加电压的表面电极7中只有与施加电压的n型区域8交叉的区域发射出电子，所以能够使表面电极7的所希望的区域发射出电子。
-
公开(公告)号：CN1249525A
公开(公告)日：2000-04-05
申请号：CN99120728.9
申请日：1999-09-24
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J9/025 , H01J2201/3125 , Y10S977/939
Abstract: 一种场致发射型电子源及其制造方法,在n型硅基板主表面侧形成强电场漂移单元,在该单元上形成金薄膜构成的表面电极。在n型硅基板背面形成欧姆电极。表面电极配置在真空中,且相对欧姆电极作为正极,通过施加直流电压,从n型硅基板注入的电子在强电场漂移单元漂移经表面电极发射。强电场漂移单元由与作为基板的n型硅基板的厚度方向垂直的剖面呈网孔状的电子进行漂移的漂移单元和填满在网孔中导热性比漂移单元好的散热单元构成。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100376040C
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN03800686.3
申请日：2003-03-07
Abstract: 所公开的是一种电子源(10)，该电子源包括形成于绝缘基片(1)一侧表面上的电子源元件(10a)。电子源元件(10a)包括下电极(2)，复合纳米晶体层(6)和表面电极(7)。复合纳米晶体层(6)包括多个多晶硅晶粒51，在每个晶粒(51)表面上形成的氧化硅薄膜(52)，存在于相邻晶粒(51)之间的大量纳米晶体硅(63)，以及在每个纳米晶体硅(63)表面形成的氧化硅膜(64)。氧化硅膜(64)是厚度小于纳米晶体硅(63)晶粒大小的绝缘膜。表面电极(7)是由碳薄膜(7a)和金属薄膜(7b)形成，碳薄膜(7a)层压在复合纳米晶体层(6)上与其相接触，而金属薄膜(7b)层压在碳薄膜(7a)上。
-
公开(公告)号：CN1254173A
公开(公告)日：2000-05-24
申请号：CN99124377.3
申请日：1999-11-16
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 本发明的场致发射型电子源10,设有n型硅衬底1、直接或通过非掺杂多晶硅层3在n型硅衬底1上形成的强电场漂移层6、以及强电场漂移层6上形成的为金薄膜的导电性薄膜7。n型硅衬底1背面设有欧姆电极2。其中,从n型硅衬底1注入强电场漂移层6的电子,在强电场漂移层6内向正面漂移,经过导电性薄膜7逸出。强电场漂移层6,通过靠阳极氧化处理使n型硅衬底1上形成的多晶硅3多孔化,再用稀硝酸等氧化形成。
-
公开(公告)号：CN1182561C
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN99120728.9
申请日：1999-09-24
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J9/025 , H01J2201/3125 , Y10S977/939
Abstract: 一种场致发射型电子源及其制造方法，该场致发射型电子源具有导电性基板；在导电性基板一表面侧形成的强电场漂移层；在该强电场漂移层上形成导电性薄膜构成的表面电极，表面电极相对于导电性基板作为正极，通过施加电压从导电性基板注入的电子在强电场漂移层漂移，经表面电极进行发射，所述强电场漂移层至少包含：基本上垂直于导电性基板主表面排列的柱状第1半导体单元；介于所述第1半导体单元间纳米级的、由半导体微结晶单元构成的第2半导体单元；形成在所述第2半导体单元表面、膜厚比所述第2半导体单元的结晶粒径小的绝缘膜。
-
公开(公告)号：CN1533608A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN03800686.3
申请日：2003-03-07
Abstract: 所公开的是一种电子源10，该电子源包括形成于绝缘基片1一侧表面上的电子源元件10a。电子源元件10a包括下电极2，复合纳米晶体层6和表面电极7。复合纳米晶体层6包括多个多晶硅晶粒51，在每个晶粒51表面上形成的氧化硅薄膜52，存在于相邻晶粒51之间的大量纳米晶体硅63，以及在每个纳米晶体硅63表面形成的氧化硅膜64。氧化硅膜64是厚度小于纳米晶体硅63晶粒大小的绝缘膜。表面电极7是由碳薄膜7a和金属薄膜7b形成，碳薄膜7a层压在复合纳米晶体层6上与其相接触，而金属薄膜7b层压在碳薄膜7a上。
-
公开(公告)号：CN1287678A
公开(公告)日：2001-03-14
申请号：CN99801925.9
申请日：1999-08-26
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J9/022 , H01J31/127 , H01J2201/3125
Abstract: 本发明提供能够使表面电极的所希望的区域发射出电子的场发射型电子源及其制造方法,场发射型电子源10具备作为导电性基板的p型硅基板1、形成于p型硅基板1内的主表面侧的带状的作为扩散层的n型区域8、形成于n型区域8上,从n型区域注入的电子发生漂移的、氧化的多孔多晶硅构成的强电场漂移层6、形成于强电场漂移层6之间的多晶硅层3,以及在与n型区域8交叉的方向上形成带状,跨越强电场漂移层6上面及多晶硅层3上面形成的导电性薄膜构成的表面电极7。适当选择施加电压的n型区域8和表面电极7,能够使得施加电压的表面电极7中只有与施加电压的n型区域8交叉的区域发射出电子,所以能够使表面电极7的所希望的区域发射出电子。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.035 seconds)
