公开(公告)号：CN110323290B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN201910235022.9

申请日：2019-03-26

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 上野航辉 ,  菊地谅介 ,  中村透 ,  藏渕孝浩 ,  金子泰 ,  羽藤一仁 ,  大场史康 ,  熊谷悠

IPC: H01L31/032 ,  C25B1/02 ,  C25B1/04 ,  C25B1/55 ,  C25B11/02 ,  C01B21/00

Abstract: 本发明涉及多结型光能转换元件、具备该元件的器件及SrZn2N2的制造方法.提供一种多结型光能转换元件，该光能转换元件含有具有适于在光的入射方向上位于上游侧的光能转换层的带隙的材料.本公开的光能转换元件具备：含有SrZn2N2的第一光能转换层和含有光能转换材料的第二光能转换层.上述光能转换材料具有比SrZn2N2的带隙窄的带隙。

公开(公告)号：CN106552659A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610802484.0

申请日：2016-09-05

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 菊地谅介 ,  中村透 ,  田村聪 ,  村濑英昭 ,  羽藤一仁

IPC: B01J27/24 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C25B1/04 ,  C25B11/06

CPC classification number: C30B25/06 ,  B01J23/20 ,  B01J35/004 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0042 ,  C23C14/0676 ,  C23C14/083 ,  C23C14/3414 ,  C25B1/04 ,  C25B9/06 ,  C25B11/0405 ,  C25B11/0415 ,  C25B11/0447 ,  C30B23/063 ,  C30B29/16 ,  C30B29/38 ,  C30B29/68 ,  H01G9/2031 ,  Y02E60/364 ,  Y02E60/366 ,  B01J27/24 ,  B01J35/065 ,  C23C14/34 ,  C25B1/003

Abstract: 本发明提供使具有小的载流子密度的铌氮氧化物层生长的方法。本发明为使铌氮氧化物层生长的方法，该方法具备以下工序：工序(a)，一边将结晶性氧化钛基板的温度维持为600℃以上且750℃以下，一边使第1铌氮氧化物膜在所述结晶性氧化钛基板上生长；和工序(b)，在所述工序(a)之后，一边将所述结晶性氧化钛基板的温度维持为350℃以上，一边使第2铌氮氧化物膜在所述第1铌氮氧化物膜上生长。在此，所述铌氮氧化物层具备所述第1铌氮氧化物膜和所述第2铌氮氧化物膜。

公开(公告)号：CN117296478A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202180098109.1

申请日：2021-12-20

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 中村透 ,  平冈牧 ,  樋口洋

IPC: H10K85/10 ,  H10K30/86

Abstract: 本公开的半导体材料用下述式(I)表示。其中，式(I)中，R1、R2及R3分别独立地表示氢原子或碳原子数为1～6的烃基；R4表示芳基、氨基、羟基或烷氧基；n表示2以上的整数。本公开的光电转换元件(100)依次具备第1电极(2)、光电转换层(3)、空穴传输层(5)及第2电极(6)，空穴传输层(5)含有本公开的半导体材料，#imgabs0#

公开(公告)号：CN103782660B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201280043381.0

申请日：2012-09-12

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 中村透 ,  上垣百合子 ,  山本松树 ,  藤原由利 ,  奥谷晃久

IPC: H05B37/02

CPC classification number: H05B37/0227

Abstract: 提供一种能够建议放松感更高的照明环境的照明环境建议系统。具有：信息输入部(12)，其输入从照明环境(1)产生的用户的舒适值和清醒值；放松值运算部(13)，其基于舒适值和清醒值来计算放松值；以及信息存储部(14)，其存储放松值，其中，信息存储部(14)存储基于从作为参考的参考照明环境产生的参考舒适值和参考清醒值运算出的参考放松值以及基于从作为目标的目标照明环境产生的目标舒适值和目标清醒值运算出的目标放松值，通过呈现部(16)呈现从目标放松值减去参考放松值所得的差分放松值。

公开(公告)号：CN113544307A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201980093587.6

申请日：2019-06-20

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 菊地谅介 ,  中村透 ,  上野航辉 ,  藏渕孝浩 ,  金子泰 ,  羽藤一仁 ,  大场史康 ,  熊谷悠

IPC: C23C14/06 ,  H01L21/203 ,  H01L31/0256

Abstract: 本申请提供能够用作光能转换材料的新型半导体材料。本申请的无机化合物半导体包含钇、锌以及氮。

公开(公告)号：CN114514623A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202080070049.8

申请日：2020-10-06

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 平冈牧 ,  内田隆介 ,  中村透

IPC: H01L51/46 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48

Abstract: 本公开的光电转换膜(12)含有：由1价的甲脒鎓阳离子、Pb阳离子及碘化物离子构成的钙钛矿化合物；及具有下述汉森溶解度参数的物质，所述汉森溶解度参数满足分散项δD为20±0.5MPa0.5、极性项δP为18±1MPa0.5及氢键项δH为11±2MPa0.5。

公开(公告)号：CN110323290A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910235022.9

申请日：2019-03-26

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 上野航辉 ,  菊地谅介 ,  中村透 ,  藏渕孝浩 ,  金子泰 ,  羽藤一仁 ,  大场史康 ,  熊谷悠

IPC: H01L31/032 ,  C25B1/00 ,  C25B11/02 ,  C01B21/00

Abstract: 本发明涉及多结型光能转换元件、具备该元件的器件及SrZn2N2的制造方法.提供一种多结型光能转换元件，该光能转换元件含有具有适于在光的入射方向上位于上游侧的光能转换层的带隙的材料.本公开的光能转换元件具备：含有SrZn2N2的第一光能转换层和含有光能转换材料的第二光能转换层.上述光能转换材料具有比SrZn2N2的带隙窄的带隙。

公开(公告)号：CN113812012A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202080034829.7

申请日：2020-02-20

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 平冈牧 ,  中村透 ,  内田隆介 ,  松下明生

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明提供一种具有高的光吸收能力及长的载流子寿命的光电转换膜。本发明的光电转换膜(12)含有由1价的甲脒鎓阳离子、Pb阳离子及碘化物离子构成的钙钛矿型化合物。光电转换膜(12)的膜厚为1μm以上。在光电转换膜(12)中，均方根粗糙度Rq与膜厚之比为0.13以下。