溅射装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1611631A

    公开(公告)日:2005-05-04

    申请号:CN200410085983.X

    申请日:2004-10-25

    CPC classification number: C23C14/352

    Abstract: 提供一种能够高速形成高性能的光学薄膜的溅射装置。本发明的溅射装置90的真空室2内具有圆筒状或平板状的至少两个靶材料63、和使上述靶材料的外表面附近产生磁场的磁铁80。其特征在于:设两个靶材料的外表面之间的间隔为d1、设上述靶材料的外表面与衬底表面之间的间隔为d2时,满足下式1,d1≤3d2(式1)。

Patent Agency Ranking