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公开(公告)号:CN101454479A
公开(公告)日:2009-06-10
申请号:CN200780019568.6
申请日:2007-05-25
Applicant: 柯尼卡美能达精密光学株式会社
CPC classification number: C23C16/325 , C23C16/042 , C23C16/56
Abstract: 本发明提供一种可获得缺损少的覆膜的成膜方法、利用该成膜方法获得的模具以及模具的制造方法。通过本发明的研究发现:如果减少载气即氢气量,则游离碳增加,结果导致在成型转印面加工过程中成为凹陷部位的发生率增加的原因。一般认为用于热CVD的氢气应为2摩尔;但根据本发明人的研究发现,通过使氢气在3摩尔以上,可以显著抑制凹陷部位的产生。但是,如果氢气过多,则在整体上原料气被稀释,将导致反应速度降低、成膜速度减慢,因此从实用的角度考虑优选不超过8摩尔左右。
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公开(公告)号:CN101772392A
公开(公告)日:2010-07-07
申请号:CN200880102101.2
申请日:2008-07-17
Applicant: 柯尼卡美能达精密光学株式会社
Inventor: 松田裕之
CPC classification number: B29D11/00432 , B23C3/00
Abstract: 一种分离光学部件的加工方法,通过以最后切断薄部TP作为完工工序,可以防止在完工工序中对透镜元件OE有较大的力作用,能够防止透镜元件OE发生位置偏离。因此,能够防止被分离的透镜元件OE上形成切剩部而不成为不良品。
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