结构检查、图形形成、工艺条件确定及半导体器件制造方法

    公开(公告)号:CN100437895C

    公开(公告)日:2008-11-26

    申请号:CN200510005081.5

    申请日:2005-01-31

    CPC classification number: G03F7/70625 G01N21/956

    Abstract: 本发明据以下所确定的各物质的构成比确定被评价物的结构:测定设于预定环境中被评价物的反射光强度的波长色散;准备构成上述被评价物及上述波长色散测定的上述环境各物质的复折射率;设定假定构成上述被评价物的物质与构成上述环境的物质的混合率的多个设想构成比;相对于各设想构成比,通过应用上述各物质的复折射率的多重干涉计算从而算出设想反射率波长色散;从上述多个设想反射率波长色散中,提取多个与上述反射率波长色散测定值误差小的类似反射率波长色散计算值;将提取的类似反射率波长色散的计算中所用的设想构成比按上述误差越小权重越大进行加权平均以确定上述各物质的构成比。

    结构检查、图形形成、工艺条件确定及半导体器件制造方法

    公开(公告)号:CN1649086A

    公开(公告)日:2005-08-03

    申请号:CN200510005081.5

    申请日:2005-01-31

    CPC classification number: G03F7/70625 G01N21/956

    Abstract: 本发明据以下所确定的各物质的构成比确定被评价物的结构:测定设于预定环境中被评价物的反射光强度的波长色散;准备构成上述被评价物及上述波长色散测定的上述环境各物质的复折射率;设定假定构成上述被评价物的物质与构成上述环境的物质的混合率的多个设想构成比;相对于各设想构成比,通过应用上述各物质的复折射率的多重干涉计算从而算出设想反射率波长色散;从上述多个设想反射率波长色散中,提取多个与上述反射率波长色散测定值误差小的类似反射率波长色散计算值;将提取的类似反射率波长色散的计算中所用的设想构成比按上述误差越小权重越大进行加权平均以确定上述各物质的构成比。

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