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公开(公告)号：CN103325936B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310082972.5
申请日：2013-03-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L39/128 , C04B35/4508 , C04B35/624 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3281 , C04B2235/449 , C04B2235/522 , C04B2235/5268 , C04B2235/5296 , C04B2235/6585 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/721 , C04B2235/724 , C04B2235/787 , H01L39/126 , H01L39/2425 , H01L39/2461 , Y10S505/704
Abstract: 根据一个实施方案，氧化物超导体包括取向超导体层和氧化物层。取向超导体层含有2.0×1016～5.0×1019个原子/cc的氟和1.0×1018～5.0×1020个原子/cc的碳。超导体层含有90%或更多的部分以10度或更低的面内取向度(Δφ)沿c-轴取向，并且含有LnBa2Cu3O7-x超导体材料(Ln为钇(Y)，或除铈(Ce)、镨(Pr)、钷(Pm)、和镥(Lu)以外的镧系元素)。氧化物层配置与超导体层的下表面接触，并且相对于超导体层的一个晶轴以10度或更低的面内取向度(Δφ)取向。与氧化物层接触的超导体层的下表面部分的面积为直接位于超导体层下面的区域面积的0.3或更低。
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公开(公告)号：CN107408427B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201680012999.9
申请日：2016-01-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01B12/06 , H01B12/00 , H01B13/00 , C04B35/45 , C04B35/624
Abstract: 氧化物超导体包括：REBa2Cu3O7‐x(RE是选自Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Y、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的“RE元素组”中的一种元素)。所述RE包括至少三种类型的金属元素(M1、M2和M3)，并且所述三种类型的金属元素是按顺序选择的所述RE元素组中的任何元素。在满足R(M1)≤20mol％且R(M2)≥60mol％且R(M3)≤20mol％的氧化物体系中，R(M1)为M1+M2+M3中的M1的平均金属元素比，在包含所述c轴的横截面的平均膜厚度的50％的位置处满足SD(Ms)>0.15，Ms是R(M1)和R(M3)中非较大的金属元素，SD(Ms)是Ms的浓度的标准偏差/平均值。
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公开(公告)号：CN107922208B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201680047826.0
申请日：2016-07-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01B12/06 , C01G1/02 , C01G3/00 , C01G3/006 , C01P2002/34 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2004/04 , C01P2006/40 , C04B35/4508 , C04B35/62218 , C04B35/62222 , C04B2235/445 , C04B2235/449 , C04B2235/768 , C04B2235/787 , H01B12/16 , H01B13/0016 , H01F6/06 , H01L39/126 , H01L39/128 , H01L39/2425
Abstract: 实施方式的氧化物超导体具备氧化物超导层，该氧化物超导层含有单晶、2.0×1015原子/cc以上5.0×1019原子/cc以下的氟和1.0×1017原子/cc以上5.0×1020原子/cc以下的碳，所述单晶具有含有选自钇、镧、钕、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱及镥中的至少1种稀土类元素、钡、以及铜的连续的钙钛矿结构，钙钛矿结构的稀土元素的位点的一部分中含有镨，相对于至少1种稀土类元素与镨的总量，镨的摩尔比在0.00000001以上0.2以下。
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公开(公告)号：CN107768018B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201710112427.4
申请日：2017-02-28
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的实施方式涉及氧化物超导体及其制造方法。提供导入人工钉扎且磁场特性得以提高的氧化物超导体及其制造方法。实施方式的氧化物超导体具有氧化物超导层，该氧化物超导层具有包含稀土类元素、钡以及铜的连续的钙钛矿型结构；上述稀土类元素包含Pr即第1元素，选自Nd、Sm、Eu和Gd中的至少一种的第2元素，选自Y、Tb、Dy和Ho中的至少一种的第3元素以及选自Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种的第4元素。在将第1元素的原子数设定为N(PA)、第2元素的原子数设定为N(SA)、第4元素的原子数设定为N(CA)的情况下，1.5×(N(PA)+N(SA))≤N(CA)或者2×(N(CA)－N(PA))≤N(SA)。
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公开(公告)号：CN107408427A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680012999.9
申请日：2016-01-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01B12/06 , H01B12/00 , H01B13/00 , C04B35/45 , C04B35/624
CPC classification number: H01L39/126 , C04B35/4504 , C04B35/4508 , C04B35/62218 , C04B35/624 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3281 , C04B2235/449 , C04B2235/721 , C04B2235/724 , C04B2235/768 , H01L39/148 , H01L39/2425 , H01L39/2451 , H01B12/06 , H01B12/00 , H01B13/00
Abstract: 氧化物超导体包括：REBa2Cu3O7‐x(RE是选自Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Y、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的“RE元素组”中的一种元素)。所述RE包括至少三种类型的金属元素(M1、M2和M3)，并且所述三种类型的金属元素是按顺序选择的所述RE元素组中的任何元素。在满足R(M1)≤20mol％且R(M2)≥60mol％且R(M3)≤20mol％的氧化物体系中，R(M1)为M1+M2+M3中的M1的平均金属元素比，在包含所述c轴的横截面的平均膜厚度的50％的位置处满足SD(Ms)>0.15，Ms是R(M1)和R(M3)中非较大的金属元素，SD(Ms)是Ms的浓度的标准偏差/平均值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101971337A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980108661.3
申请日：2009-03-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本公开提供了一种用于在具有高记录密度的非易失性信息记录/再现系统中使用的信息记录器件，所述器件包括在切换期间具有较少相分离等的电阻材料。本公开还提供了一种包括所述器件的信息记录/再现系统。本公开提供了一种信息记录器件，包括：电极对；以及在所述电极之间的记录层，所述记录层通过其电阻变化记录信息，所述记录层包括(a)M3Oz和(b)AxM3-xOz中的至少一种作为主要成分，在(a)和(b)中，z为代表从z＝4.5的氧缺乏的值，而在(b)中，x满足0.00＜x≤0.03。本公开还提供了包括所述器件的信息记录/再现系统。
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公开(公告)号：CN107922208A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680047826.0
申请日：2016-07-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01B12/06 , C01G1/02 , C01G3/00 , C01G3/006 , C01P2002/34 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2004/04 , C01P2006/40 , C04B35/4508 , C04B35/62218 , C04B35/62222 , C04B2235/445 , C04B2235/449 , C04B2235/768 , C04B2235/787 , H01B12/16 , H01B13/0016 , H01F6/06 , H01L39/126 , H01L39/128 , H01L39/2425
Abstract: 实施方式的氧化物超导体具备氧化物超导层，该氧化物超导层含有单晶、2.0×1015原子/cc以上5.0×1019原子/cc以下的氟和1.0×1017原子/cc以上5.0×1020原子/cc以下的碳，所述单晶具有含有选自钇、镧、钕、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱及镥中的至少1种稀土类元素、钡、以及铜的连续的钙钛矿结构，钙钛矿结构的稀土元素的位点的一部分中含有镨，相对于至少1种稀土类元素与镨的总量，镨的摩尔比在0.00000001以上0.2以下。
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公开(公告)号：CN107768018A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710112427.4
申请日：2017-02-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F1/057 , C04B35/4508 , C04B35/62218 , C04B35/62222 , C04B35/624 , C04B35/6264 , C04B35/64 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3282 , C04B2235/449 , C04B2235/656 , C04B2235/6584 , C04B2235/6585 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , C04B2235/81 , C04B2235/96 , C23C18/1216 , C23C18/1254 , C23C18/1295 , H01F1/058 , H01F1/059 , H01F6/06 , H01F41/048 , H01L39/126 , H01L39/143 , H01L39/2425 , H01B13/00 , H01B1/02 , H01B12/06
Abstract: 本发明的实施方式涉及氧化物超导体及其制造方法。提供导入人工钉扎且磁场特性得以提高的氧化物超导体及其制造方法。实施方式的氧化物超导体具有氧化物超导层，该氧化物超导层具有包含稀土类元素、钡以及铜的连续的钙钛矿型结构；上述稀土类元素包含Pr即第1元素，选自Nd、Sm、Eu和Gd中的至少一种的第2元素，选自Y、Tb、Dy和Ho中的至少一种的第3元素以及选自Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种的第4元素。在将第1元素的原子数设定为N(PA)、第2元素的原子数设定为N(SA)、第4元素的原子数设定为N(CA)的情况下，1.5×(N(PA)+N(SA))≤N(CA)或者2×(N(CA)－N(PA))≤N(SA)。
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公开(公告)号：CN103680759A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310388392.9
申请日：2013-08-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L39/24 , H01L39/2425
Abstract: 本发明的氧化物超导体的制造方法包括：溶解包含混合选自钇和镧系元素（其中不包括铈、镨、钷、钌）的金属以及钡和铜而得到的三氟乙酸盐的含氟羧酸盐，制备以包含甲醇的醇为溶剂的涂布溶液，在涂布溶液中，添加CF2H-(CF2)n-COOH或HOCO-(CF2)m-COOH（n、m为正整数）作为防裂纹剂，使用添加有防裂纹剂的涂布溶液，在基板上形成凝胶膜，以在3%以下的氧分压、200℃以上的工序的总计时间为7小时以下的方式，对凝胶膜进行预烧，形成预烧膜，对预烧膜进行主烧和氧退火，形成氧化物超导体的膜。
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公开(公告)号：CN103325936A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310082972.5
申请日：2013-03-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L39/128 , C04B35/4508 , C04B35/624 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3281 , C04B2235/449 , C04B2235/522 , C04B2235/5268 , C04B2235/5296 , C04B2235/6585 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/721 , C04B2235/724 , C04B2235/787 , H01L39/126 , H01L39/2425 , H01L39/2461 , Y10S505/704
Abstract: 根据一个实施方案，氧化物超导体包括取向超导体层和氧化物层。取向超导体层含有2.0×1016～5.0×1019个原子/cc的氟和1.0×1018～5.0×1020个原子/cc的碳。超导体层含有90%或更多的部分以10度或更低的面内取向度(Δφ)沿c-轴取向，并且含有LnBa2Cu3O7-x超导体材料(Ln为钇(Y)，或除铈(Ce)、镨(Pr)、钷(Pm)、和镥(Lu)以外的镧系元素)。氧化物层配置与超导体层的下表面接触，并且相对于超导体层的一个晶轴以10度或更低的面内取向度(Δφ)取向。与氧化物层接触的超导体层的下表面部分的面积为直接位于超导体层下面的区域面积的0.3或更低。
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