公开(公告)号：CN104716086A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201410575580.7

申请日：2014-10-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 川崎敦子

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L24/24 ,  H01L21/31144 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/19 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/08148 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/8009 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/80001

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法以及半导体装置。根据实施方式的半导体装置的制造方法，形成第一导电层以及第一绝缘层从表面露出的第一布线层，形成第二导电层以及第二绝缘层从表面露出的第二布线层，通过使所述第一绝缘层的表面中的、包括所述第一导电层的周围的一部分区域比所述第一导电层的表面低来在所述第一绝缘层的表面形成第一非接合面，将所述第一导电层的表面与所述第二导电层的表面连接，并且，将除了所述第一非接合面的所述第一绝缘层的表面与所述第二绝缘层的表面接合。

公开(公告)号：CN1505155A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310115277.0

申请日：2003-11-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小泽良夫 ,  稗田克彦 ,  川崎敦子

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/788 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/336 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42324

Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法。本发明的目的是消除由多晶硅构成的浮栅电极的最终形成的形状的偏差以抑制非易失性半导体存储元件等的元件间的特性的偏差。其解决方案是在具有层叠了浮栅与控制栅的2层栅结构的非易失性存储元件的半导体器件的制造方法中，在硅衬底(101)上以层叠方式形成了隧道绝缘膜(102)和成为浮栅的多晶的硅层(103)后，对硅层(103)、隧道绝缘膜(102)和衬底(101)进行选择刻蚀以形成元件隔离用槽(106)，其次在元件隔离用槽(106)中露出的硅层(103)的侧壁面上形成氮化膜(108)，其次在元件隔离用槽(106)内填埋氧化膜(109)，然后在氧化膜(109)和硅层(103)上隔着电极间绝缘膜以层叠方式形成成为控制栅的导电膜，然后对导电膜、电极间绝缘膜和硅层(103)进行选择刻蚀以形成控制栅和浮栅。

公开(公告)号：CN105702691A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510869865.6

申请日：2015-12-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 川崎敦子 ,  上野宗一郎

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/373 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14627 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14685 ,  H04N5/2257 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3737 ,  H04N5/335

Abstract: 本发明涉及一种固体摄像装置、相机模块及固体摄像装置的制造方法。实施方式的固体摄像装置具备：传感器基板，具有微透镜；透明树脂层，以与包含所述微透镜的表面的所述传感器基板的主表面接触的方式设置；及透明基板，配置在所述透明树脂层的上表面上。所述透明树脂层的导热率高于空气，所述透明树脂层的折射率较所述微透镜低且为所述透明基板以下。

公开(公告)号：CN105280657A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510321410.0

申请日：2015-06-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 谷田一真 ,  吉田贵光 ,  内海邦朗 ,  川崎敦子

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/28 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/4853 ,  H01L21/76885 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14643 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/08059 ,  H01L2224/08111 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80345 ,  H01L2224/80365 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 根据实施方式，提供一种半导体装置。半导体装置具备绝缘层、电极和槽。绝缘层设在基板的表面上。电极埋设在绝缘层中，一方的端面从绝缘层露出。槽形成在基板表面的电极的周围。此外，槽以电极的外侧面为一方的侧面，绝缘层的表面侧被开放。埋设在绝缘层中的电极其一方的端面从绝缘层的表面突出。